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V62C1161024L-70T 参数 Datasheet PDF下载

V62C1161024L-70T图片预览
型号: V62C1161024L-70T
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内容描述: 超低功耗64K ×16的CMOS SRAM [Ultra Low Power 64K x 16 CMOS SRAM]
分类和应用: 静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 121 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V62C1161024L(L)
直流工作特性
(V
cc
= 2V + 10 % , GND = 0V ,T
A
= 0
0
C至+70
0
C / -40
0
C至85
0
C)
参数
输入漏电流
输出漏
当前
工作电源
电源电流
平均开工
当前
符号
测试条件
V
cc
=最大,
V
in
= GND到V
cc
CE = V
IH
或V
cc
=最大,
V
OUT
= GND到V
cc
CE = V
IL
, V
IN
= V
IH
或V
IL
,
I
OUT
= 0
I
OUT
= 0毫安,
分周期内, 100 %的占空
CE < 0.2V
I
OUT
= 0毫安,
周期时间= 1μs的时间,占空比= 100 %
-70
-
-
-
-
-
1
1
3
30
3
-
-
-
-
-
-85
1
1
3
25
3
-
-
-
-
-
-100
1
1
3
20
3
-
-
-
-
-
-120
1
1
3
20
3
最小值最大值最小值最大值最小值最大值最小值最大值
单位
µA
µA
mA
I
I
LI
I
I
LO
I
CC
I
CC1
I
CC2
mA
mA
备用电源
电流( TTL电平)
备用电源
电流( CMOS电平)
输出低电压
输出高电压
I
SB
I
SB1
CE = V
IH
CE > V
cc
- 0.2V
V
IN
& LT ; 0.2V或
V
IN
& GT ; V
cc
- 0.2V
I
OL
= 2毫安
I
OH
= -1毫安
-
0.5
5
1
0.4
-
-
-
-
-
1.6
0.5
5
1
0.4
-
-
-
-
-
1.6
0.5
5
1
0.4
-
-
-
-
-
1.6
0.5
5
1
0.4
-
mA
L
LL
-
-
-
1.6
µA
µA
V
V
V
OL
V
OH
电容
( F = 1MHz的,T
A
= 25
0
C)
参数*
输入电容
I / O容量
符号
C
in
C
I / O
测试条件
V
in
= 0V
V
in
= V
OUT
= 0V
最大
7
8
单位
pF
pF
*这个参数是由设备特性保证,而不是生产测试。
AC测试条件
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
参考电平
输出负载条件
70ns/85ns
负载为100ns / 120ns的
0.4V至1.6V
5ns
1.0V
C
L
*
TTL
C
L
= 30pF的+ 1TTL负荷
C
L
= 100pF电容+ 1TTL负荷
图A.
*包括范围和夹具电容
3
修订版1.1
四月
2001年V62C1161024L ( L)