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V55C2128164V 参数 Datasheet PDF下载

V55C2128164V图片预览
型号: V55C2128164V
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内容描述: 的128Mbit低功耗SDRAM 2.5伏, TSOP II / BGA封装8M ×16 [128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 44 页 / 581 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V55C2128164V(T/B)
CILETIV LESO M
低功耗模式寄存器表
BA1 BA0 A11 A10 A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
地址总线( AX)
1*)
0*)
都被设置为"0"
TCR
PASR
模式寄存器
自刷新:
温度补偿
A4
0
0
1
1
A3
0
1
0
1
最高外壳温度
70
O
C
45
O
C
15
O
C
85
O
C
A2
0
0
0
0
1
1
1
局部阵列自刷新:
A1
0
0
1
1
0
0
1
A0
0
1
0
1
0
1
0
银行自行装修
所有银行
1/2阵列( BA1 = 0)
1/4阵列(BA = 0, BA0 = 0)的
版权所有
版权所有
1/8阵列(BA = BA0 = 0, A 11 = 0)
1/16阵列(BA = BA0 = 0,
A11=A10=0)
版权所有
1
1
1
* ) BA1和BA0必须为1 , 0 ,选择扩展模式寄存器(相对于模式寄存器)
在低功耗模式寄存器必须在初始化过程中进行设置。一旦设备在工作时,
当器件处于空闲状态的低功耗模式寄存器设置,可以随时发出。
V55C2128164V (T / B ) 1.2修订版2002年8月
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