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    V55C2128164V 参数 Datasheet PDF下载

    V55C2128164V图片预览
    型号： V55C2128164V
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 的128Mbit低功耗SDRAM 2.5伏， TSOP II / BGA封装8M ×16 [128Mbit LOW-POWER SDRAM 2.5 VOLT, TSOP II / BGA PACKAGE 8M X 16]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 44 页 / 581 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V55C2128164V的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V55C2128164V的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V55C2128164V的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V55C2128164V的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V55C2128164V的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V55C2128164V的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V55C2128164V的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V55C2128164V的Datasheet PDF文件第11页  
    V55C2128164V(T/B)
    地址输入的模式设置（模式寄存器操作）
    类似于常规的页面模式
    DRAM的，突发读取或同事的任何写访问
    UMN地址是可能的，一旦RAS周期
    锁存读出放大器。最大吨
    RAS
    or
    刷新间隔时间限制的随机数
    列的访问。新的突发的访问可以做到
    甚至在原先的脉冲串结束。中断
    被支承的操作在每一个时钟周期。当
    先前的突发中断时，剩余的AD-
    连衣裙通过与新的地址重写
    全突发长度。伴随中断
    CILETIV LESO M
    BA1 BA0 A11 A10 A9
    A8
    A7
    A6
    A5
    A4
    A3
    A2
    A1
    A0
    地址总线（ AX）
    操作模式
    CAS延迟
    BT
    突发长度
    模式寄存器
    操作模式
    BA1 BA0 A11 A10 A9 A8 A7
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    0
    模式
    突发读/突发
    写
    突发读/单
    写
    突发类型
    A3
    0
    1
    TYPE
    顺序
    交错
    0
    0
    0
    0
    1
    0
    0
    CAS延迟
    A6
    0
    0
    0
    0
    1
    1
    1
    1
    A5
    0
    0
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    A4
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    潜伏期
    储备
    1
    2
    3
    储备
    储备
    储备
    储备
    突发长度
    长
    A2
    0
    0
    0
    0
    1
    1
    1
    1
    A1
    0
    0
    1
    1
    0
    0
    1
    1
    A0
    顺序
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    0
    1
    1
    2
    4
    8
    储备
    储备
    储备
    整页
    交错
    1
    2
    4
    8
    储备
    储备
    储备
    储备
    与从读取的操作变更为写为
    可以通过利用DQM ，以避免总线冲突。
    当两个或多个储库被激活
    依次交错银行的读或写
    操作也是可能的。与编程
    突发长度，备用访问和预充电
    关于两个或更多个存储区的操作可实现快速
    在许多不同的串行数据访问模式
    页。当两个或两个以上的银行被激活，
    列与列交错操作可以做
    不同的页面之间。
    V55C2128164V （T / B ） 1.2修订版2002年8月
    7

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