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    V4374128C24VXXG-75 参数 Datasheet PDF下载

    V4374128C24VXXG-75图片预览
    型号： V4374128C24VXXG-75
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 1GB 168 -PIN挂号PLL ECC SDRAM DIMM 3.3伏128M X 72 [1GB 168-PIN REGISTERED PLL ECC SDRAM DIMM 3.3 VOLT 128M x 72]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 13 页 / 309 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V4374128C24VXXG-75的Datasheet PDF文件第5页浏览型号V4374128C24VXXG-75的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V4374128C24VXXG-75的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V4374128C24VXXG-75的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V4374128C24VXXG-75的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V4374128C24VXXG-75的Datasheet PDF文件第11页浏览型号V4374128C24VXXG-75的Datasheet PDF文件第12页浏览型号V4374128C24VXXG-75的Datasheet PDF文件第13页  
    V4374128C24V
    CILETIV LESOM
    ＃符号参数
    时钟和时钟使能
    1
    t
    CK
    2
    f
    CK
    3
    t
    AC
    4
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    t
    CH
    t
    CL
    t
    CS
    t
    CH
    t
    CKSP
    t
    CKSR
    t
    T
    AC特性
    3,4
    T
    A
    = 0°至70℃ ; V
    SS
    = 0V; V
    CC
    = 3.3V
    ±
    0.3V ，T
    T
    = 1纳秒
    限值
    -75PC
    分钟。
    马克斯。
    分钟。
    -75
    马克斯。
    -10PC
    分钟。
    马克斯。
    单位
    记
    时钟周期时间
    CAS延时= 3
    CAS延时= 2
    系统频率
    CAS延时= 3
    CAS延时= 2
    时钟存取时间
    CAS延时= 3
    CAS延时= 2
    时钟高电平脉冲宽度
    时钟低脉冲宽度
    输入建立时间
    输入保持时间
    CKE建立时间（省电模式）
    CKE建立时间（自刷新退出）
    转换时间（上升和下降）
    7.5
    7.5
    –
    –
    –
    –
    2.5
    2.5
    1.5
    0.8
    2.5
    8
    1
    133
    133
    5.4
    6
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    7.5
    10
    –
    –
    –
    –
    2.5
    2.5
    1.5
    0.8
    2.5
    8
    1
    133
    100
    5.4
    6
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    10
    10
    –
    –
    –
    –
    3
    3
    2
    1
    2
    8
    1
    100
    100
    6
    6
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    –
    ns
    ns
    兆赫
    兆赫
    4,5
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    6
    6
    7
    7
    8
    9
    通用参数
    11
    12
    13
    14
    15
    16
    t
    RCD
    t
    RC
    t
    RAS
    t
    RP
    t
    RRD
    t
    CCD
    RAS到CAS延迟
    周期
    主动命令时期
    预充电时间
    银行银行延迟时间
    CAS到CAS延迟时间
    （同一银行）
    15
    70
    42
    15
    14
    1
    –
    120K
    –
    –
    –
    –
    20
    70
    45
    20
    15
    1
    –
    120K
    –
    –
    –
    –
    20
    60
    45
    20
    20
    1
    –
    120K
    –
    –
    –
    –
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    CLK
    6
    6
    6
    6
    6
    刷新周期
    17
    18
    t
    SREX
    t
    REF
    自刷新退出时间
    刷新周期（ 8192次）
    10
    64
    –
    –
    10
    64
    –
    –
    10
    64
    –
    –
    ns
    ms
    读周期
    19
    20
    21
    22
    t
    OH
    t
    LZ
    t
    HZ
    t
    DQZ
    数据输出保持时间
    数据输出为低阻抗时间
    数据输出为高阻时间
    DQM数据输出禁用延迟
    3
    1
    3
    –
    –
    –
    7.5
    2
    3
    1
    3
    –
    –
    –
    7.5
    2
    3
    1
    3
    –
    –
    –
    8
    2
    ns
    ns
    ns
    CLK
    7
    2
    写周期
    23
    24
    t
    DPL
    t
    DQW
    数据输入到预充电（写恢复）
    DQM写面膜延迟
    2
    0
    –
    –
    2
    0
    –
    –
    1
    0
    –
    –
    CLK
    CLK
    V4374128C24V修订版1.1 2002年1月
    9

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