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V436664S24VXTG-10PC 参数 Datasheet PDF下载

V436664S24VXTG-10PC图片预览
型号: V436664S24VXTG-10PC
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内容描述: 3.3伏64M ×64高性能UNBUFFERED SDRAM模块 [3.3 VOLT 64M x 64 HIGH PERFORMANCE UNBUFFERED SDRAM MODULE]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器
文件页数/大小: 12 页 / 175 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V436664S24V
CILETIV LESO M
SPD-表(续)
字节Num-
BER
函数来描述
28
最小行主动向行主动延迟
t
RRD
最低RAS到CAS延迟时间T.
RCD
最低RAS脉冲宽度t
RAS
模块库密度(每行)
SDRAM的输入建立时间
SDRAM的输入保持时间
SDRAM的数据输入建立时间
SDRAM的数据输入保持时间
超集信息(可能是Fu-使用
TURE )
SPD修订
校验和字节0 - 62
制造商的JEDEC的ID代码
制造商的JEDEC的ID代码(续)
生产地点
模块部件号( ASCII )
PCB识别码
装配制造日期(年)
组装生产日期(周)
装配序列号
版权所有
英特尔规范频率
版权所有
未使用的存储位置
00
00
00
00
64
00
64
00
64
V436664S24V
茂矽
修订版2 / 1.2
十六进制值
SPD项值
14纳秒/ 15纳秒/ 16纳秒
-75PC
0E
-75
0F
-10PC
10
29
30
31
32
33
34
35
36-61
15纳秒/ 20纳秒
42纳秒/ 45纳秒
256兆字节
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
1.5纳秒/ 2.0纳秒
0.8纳秒/ 1.0纳秒
0F
2A
40
15
08
15
08
00
14
2D
40
15
08
15
08
00
14
2D
40
20
10
20
10
00
62
63
64
65-71
72
73-90
91-92
93
94
95-98
99-125
126
127
128+
02
FE
40
00
02
43
40
00
12
B1
40
00
DC特性
T
A
= 0°C至70°C ; V
SS
= 0 V; V
DD
, V
DDQ
= 3.3V
±
0.3V
限值
符号
V
IH
V
IL
V
OH
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压(I
OUT
= -2.0毫安)
分钟。
2.0
–0.5
2.4
马克斯。
V
CC
+0.3
0.8
单位
V
V
V
V436664S24V修订版1.1 2002年3月
5