V436664S24V
CILETIV LESO M
模块型号信息
V
茂矽
制成的
4
3
66
64
S
2
4
V
X
T
摹 - XX
速度
75PC = PC133 CL3,2
75 = PC133 CL3
10PC = PC133 CL3,2
无铅封装
G =金
SDRAM
3.3V
宽度
深度
168 PIN UNBUFFERED
DIMM X8 COMPONENT
刷新
率8K
部件
包装， T = TSOP
COMPONENT A = 0.17u B = 0.14u
转级
LVTTL
4银行
框图
CS1
CS0
DQM0
I/O1–I/O8
10Ω
DQM1
I/O9–I/O16
10Ω
CS3
CS2
DQM2
I/O17–I/O24
10Ω
DQM3
I/O25–I/O32
10Ω
E
2
PROM SPD （ 256字×8位）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
V
DD
WP
47K
DQM CS
I / O1 -I / O8 D0
DQM CS
I / O1 -I / O8 D1
DQM CS
I / O1 -I / O8 D8
DQM CS
I / O1 -I / O8 D9
DQM4
I/O33–I/O40
10Ω
DQM5
I/O41–I/O48
10Ω
DQM CS
I / O1 -I / O8 D4
DQM CS
I / O1 -I / O8 D5
DQM CS
I / O1 -I / O8 D12
DQM CS
I / O1 -I / O8 D13
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D2
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D3
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D10
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D11
DQM6
I/O49–I/O56
10Ω
DQM7
I/O57–I/O64
10Ω
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D6
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D7
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D14
CS
DQM
I / O1 -I / O8 D15
A12 - A0 ， BA0 ， BA1
D0-D15
D0-D15
C0-C31
,C32-C42
D0-D7
D0-D15
D0-D7
V
CC
10K
V
SS
RAS ， CAS ， WE
CKE0
时钟布线
16M ×64
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
4 SDRAM + 3.3pF
4 SDRAM + 3.3pF
4 SDRAM + 3.3pF
4 SDRAM + 3.3pF
CKE1
D9-D15
V436664S24V修订版1.1 2002年3月
3
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
