V436616R24V(L)
CILETIV LESOM
V
茂矽
制成的
SDRAM
产品编号信息
4
3
66
16
R
2
4
V
A
T
摹 - XX
(L)
3.3V
宽度
深度
168 PIN UNBUFFERED
DIMM X16 COMPONENT
刷新
率8K
速度
75PC = PC133 CL3,2
75 = PC133 CL3
10PC = PC133 CL3,2
无铅封装
G =金
部件
包装， T = TSOP
部件
转级
LVTTL
4银行
低RPROFILE
产品型号
V436616R24VATG-75L
V436616R24VATG-10PCL
描述
128 MB ， 16M ×64 ， 133兆赫， CL3
128 MB ， 16M ×64 ， 100兆赫， CL2
功能框图
10
CLK1/3
3.3pF
WE
CS0
WE
DQM0
I/O1–I/O8
10
DQM1
I/O9–I/O16
10
CS2
DQM2
I/O17–I/O24
10
DQM3
I/O25–I/O32
10
UDQM
I/O9–I/O16
DQM7
I/O57–I/O64
10
CKE0
RAS
CAS
WP
47K
CS
DQM4
I/O33–I/O40
10
DQM5
I/O41–I/O48
10
WE
LDQM
I/O1–I/O8
UDQM
I/O9–I/O16
CS
LDQM
I/O1–I/O8
UDQM
I/O9–I/O16
D0
D2
WE
LDQM
I/O1–I/O8
CS
DQM6
I/O49–I/O56
10
WE
LDQM
I/O1–I/O8
UDQM
I/O9–I/O16
CS
D1
D3
E
2
PROM SPD （ 256字×8位）
SCL0
SA2
SA1
SA0
SDA
CKE ： SDRAM D0 -D3
RAS ： SDRAM D0 -D3
CAS ： SDRAM D0 -D3
WE： SDRAM D0 -D3
A（ 12 ： 0 ） ： SDRAM D0 -D3
BA0 ， BA1 ： SDRAM D0 -D3
D0–D3
C0–C7
D0–D3
两个0.1μF的电容器
按每个SDRAM
WE
A(12:0)
BA0 ， BA1
V
CC
10
D0/D2
D1/D3
CLK0/2
3.3pF
V
SS
V436616R24V （ L） 2001 Rev.1.0月
3
MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
