V436616R24V(L)
128 MB 168针无缓冲DIMM
3.3伏16M ×64 LOW PROFILE
初步
CILETIV LESOM
特点
组件中使用
t
CK
t
AC
描述
该V436616R24V ( L)内存模块
在一个168引脚双列组织了16 , 777 , 216 ×64位
直插式内存模块( DIMM ) 。在16M ×64
内存模块采用4茂矽 - 华智16M ×16
SDRAM 。在x64模块非常适合于使用高
高性能计算机系统中增加
存储密度和快速的访问时间是必需的。
s
168针无缓冲16 , 777 , 216 ×64位
Oganization SDRAM DIMM
s
采用高性能256兆位, 16M ×16
SDRAM在TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
s
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
s
自动刷新( CBR)和自刷新
s
所有的输入,输出是LVTTL兼容
s
8192刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测(SPD)
s
SDRAM性能
-7
CL=3
CL=2
时钟存取时间CAS CL = 3
潜伏期
CL=2
143
100
5.4
6
单位
兆赫
兆赫
ns
ns
时钟频率(最大)
s
在133 MHz的操作支持的潜伏期为
模块
CL
3
t
RCD
3
t
RP
3
t
RC
8
CLK
V436616R24V ( L)修订版2001年1.0月
1