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    V436532S04VATG-10PC 参数 Datasheet PDF下载

    V436532S04VATG-10PC图片预览
    型号： V436532S04VATG-10PC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 3.3伏32M ×64的高性能PC100 SDRAM UNBUFFERED模块 [3.3 VOLT 32M x 64 HIGH PERFORMANCE PC100 UNBUFFERED SDRAM MODULE]
    分类和应用： 动态存储器PC
    文件页数/大小： 12 页 / 200 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V436532S04VATG-10PC的Datasheet PDF文件第1页浏览型号V436532S04VATG-10PC的Datasheet PDF文件第2页浏览型号V436532S04VATG-10PC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号V436532S04VATG-10PC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号V436532S04VATG-10PC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号V436532S04VATG-10PC的Datasheet PDF文件第7页浏览型号V436532S04VATG-10PC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V436532S04VATG-10PC的Datasheet PDF文件第9页  
    茂矽
    SPD-表（续）
    V436532S04VATG-10PC
    十六进制值
    字节
    数
    30
    31
    32
    33
    34
    35
    36-61
    62
    63
    64-125
    函数来描述
    最低RAS脉冲宽度t
    RAS
    模块库密度（每行）
    SDRAM的输入建立时间
    SDRAM的输入保持时间
    SDRAM的数据输入建立时间
    SDRAM的数据输入保持时间
    超集信息（可能在将来使用）
    SPD修订
    校验和字节0 - 62
    制造商的信息（可选）
    （FFH ，如果未使用）
    马克斯。频率规格
    100 MHz的支持详细信息
    未使用的存储位置
    SPD项值
    45纳秒
    128兆字节
    2纳秒
    1纳秒
    2纳秒
    1纳秒
    100兆赫
    -10PC
    2D
    20
    20
    10
    20
    10
    00
    修订版1.2
    12
    FD
    126
    127
    128+
    100兆赫
    64
    FF
    00
    T
    A
    = 0
    °
    C至70
    °
    ℃; V
    SS
    = 0 V; V
    DD
    , V
    DDQ
    = 3.3V
    ±
    0.3V
    限值
    符号
    V
    IH
    V
    IL
    V
    OH
    V
    OL
    I
    I（L）
    I
    O（ L）
    DC特性
    参数
    输入高电压
    输入低电压
    输出高电压（I
    OUT
    = -2.0毫安）
    输出低电压（I
    OUT
    = 2.0 mA）的
    输入漏电流，任何输入
    （ 0 V < V
    IN
    < 3.6 V ，所有其它输入= 0V ）
    输出漏电流
    （ DQ被禁用， 0V < V
    OUT
    ＆ LT ; V
    CC
    )
    分钟。
    2.0
    –0.5
    2.4
    —
    –40
    马克斯。
    V
    CC
    +0.3
    0.8
    —
    0.4
    40
    单位
    V
    V
    V
    V
    µ
    A
    µ
    A
    –40
    40
    V436532S04VATG - 10PC修订版2001年1.0月
    5

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