茂矽
V436532S04VATG-10PC
3.3伏32M ×64高性能
PC100 SDRAM UNBUFFERED模块
初步
特点
s
168针无缓冲33554432 ×64位
Oganization SDRAM模块
s
采用高性能128兆位, 16M ×8
SDRAM在TSOPII -54封装
s
完全的PC板布局兼容英特尔的
修订版1.0模块规格
s
单+ 3.3V ( ± 0.3V )电源
s
可编程CAS延迟,突发长度和
裹顺序(顺序&交错)
s
自动刷新( CBR)和自刷新
s
所有的输入,输出是LVTTL兼容
s
4096刷新周期每64毫秒
s
串行目前检测(SPD)
s
SDRAM性能
描述
该V436532S04VATG - 10PC内存模块
组织在一个168引脚双列33554432 ×64位
直插式内存模块( DIMM ) 。在32M ×64 unbuf-
fered DIMM采用16茂矽 - 华智128兆比特, 16M X
8 SDRAM 。在x64模块非常适合于使用
高性能计算机系统中IN-
有折痕的存储密度和快速的访问时间
所需。
关键部件时序参数
t
CK
t
AC
t
AC
时钟频率(最大)
时钟存取时间CAS
延时= 3
延时= 2
-8PC
125
6
单位
兆赫
ns
6
ns
s
模块频率与AC参数
频率
V436532S04VATG-10PC
100兆赫(PC)的
CL
( CAS延迟)
3
2
t
RCD
2
2
t
RP
2
2
t
RC
7
7
单位
CLK
CLK
V436532S04VATG-10PC-01
V436532S04VATG - 10PC修订版2001年1.0月
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