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V54C3256164VALT6 参数 Datasheet PDF下载

V54C3256164VALT6图片预览
型号: V54C3256164VALT6
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内容描述: 的256Mbit SDRAM 3.3伏, TSOP II / SOC BGA / WBGA封装16M ×16 , 32M ×8 , 64M ×4 [256Mbit SDRAM 3.3 VOLT, TSOP II / SOC BGA / WBGA PACKAGE 16M X 16, 32M X 8, 64M X 4]
分类和应用: 内存集成电路光电二极管动态存储器时钟
文件页数/大小: 52 页 / 838 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V54C3256(16/80/40)4V(T/S/B)  
3. Read Interrupted by a Read  
(Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3)  
T0  
T1  
T2  
T3  
T4  
T5  
T6  
T7  
T8  
CLK  
READ A  
READ B  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
COMMAND  
CAS latency = 2  
DOUT A0  
DOUT B0  
DOUT A0  
DOUT B1  
DOUT B0  
DOUT B2  
DOUT B1  
DOUT B3  
DOUT B2  
t
CK2, I/O’s  
CAS latency = 3  
DOUT B3  
t
CK3, I/O’s  
4.1 Read to Write Interval  
(Burst Length = 4, CAS latency = 3)  
T0 T1 T2  
T3  
T4  
T5  
T6  
T7  
T8  
CLK  
Minimum delay between the Read and Write Commands = 4+1 = 5 cycles  
tDQW  
DQM  
tDQZ  
NOP  
READ A  
NOP  
NOP  
NOP  
NOP  
WRITE B  
NOP  
NOP  
COMMAND  
I/O’s  
DIN B  
0
DIN B  
1
DIN B  
2
DOUT A  
0
Must be Hi-Z before  
the Write Command  
: “H” or “L”  
V54C3256(16/80/40)4V(T/S/B) Rev. 1.6 September 2002  
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