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    V54C316162VC-55 参数 Datasheet PDF下载

    V54C316162VC-55图片预览
    型号： V54C316162VC-55
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 200/183/166/143 MHz的3.3伏， 2K刷新超高性能1M ×16 SDRAM 2组X达512Kbit ×16 [200/183/166/143 MHz 3.3 VOLT, 2K REFRESH ULTRA HIGH PERFORMANCE 1M X 16 SDRAM 2 BANKS X 512Kbit X 16]
    分类和应用： 动态存储器
    文件页数/大小： 22 页 / 322 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V54C316162VC-55的Datasheet PDF文件第12页浏览型号V54C316162VC-55的Datasheet PDF文件第13页浏览型号V54C316162VC-55的Datasheet PDF文件第14页浏览型号V54C316162VC-55的Datasheet PDF文件第15页浏览型号V54C316162VC-55的Datasheet PDF文件第17页浏览型号V54C316162VC-55的Datasheet PDF文件第18页浏览型号V54C316162VC-55的Datasheet PDF文件第19页浏览型号V54C316162VC-55的Datasheet PDF文件第20页  
    V54C316162VC  
    4.2 Minimum Read to Write Interval  
    (Burst Length = 4, CAS latency = 2)  
    T0  
    T1  
    T2  
    T3  
    T4  
    T5  
    T6  
    T7  
    T8  
    CLK  
    tDQW  
    DQM  
    tDQZ  
    1 Clk Interval  
    READ A  
    BANK A  
    ACTIVATE  
    NOP  
    NOP  
    WRITE A  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    NOP  
    COMMAND  
    Must be Hi-Z before  
    the Write Command  
    CAS latency = 2  
    DIN A  
    DIN A  
    DIN A  
    DIN A  
    3
    0
    1
    2
    tCK2, I/O’s  
    : “H” or “L”  
    4.3 Non-Minimum Read to Write Interval  
    (Burst Length = 4, CAS latency = 2, 3  
    T0  
    T1  
    T2  
    T3  
    T4  
    T5  
    T6  
    T7  
    T8  
    CLK  
    tDQW  
    DQM  
    tDQZ  
    NOP  
    READ A  
    NOP  
    NOP  
    READ A  
    NOP  
    WRITE B  
    NOP  
    NOP  
    COMMAND  
    CAS latency = 2  
    DOUT A  
    DOUT A  
    DOUT A  
    DIN B  
    DIN B  
    DIN B  
    DIN B  
    DIN B  
    DIN B  
    0
    1
    0
    1
    2
    tCK1, I/O’s  
    Must be Hi-Z before  
    the Write Command  
    CAS latency = 3  
    0
    0
    1
    2
    tCK2, I/O’s  
    : “H” or “L”  
    V54C316162VC Rev. 1.4 December 2001  
    16  

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