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V436416S04VCTG-75 参数 Datasheet PDF下载

V436416S04VCTG-75图片预览
型号: V436416S04VCTG-75
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内容描述: 3.3伏16M ×64的高性能PC133 SDRAM UNBUFFERED模块 [3.3 VOLT 16M x 64 HIGH PERFORMANCE PC133 UNBUFFERED SDRAM MODULE]
分类和应用: 内存集成电路动态存储器PC时钟
文件页数/大小: 12 页 / 260 K
品牌: MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
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V436416S04V(C)TG-75
CILETIV LESOM
V
MOSEL-VITELIC
MANUFACTURED
SDRAM
Part Number Information
4
3
64
16
S
0
4
V
C
T
G
-
75
133 MHz
(PC133 3-3-3)
GOLD
TSOP
3.3V
WIDTH
DEPTH
168 PIN UNBUFFERED
DIMM X 8 COMPONENT
Component Rev: Blank—B Rev
C—C Rev
LVTTL
4 BANKS
REFRESH
RATE 4K
V436416S04V(C)TG-75-02
Block Diagram
CS1
CS0
DQM0
I/O1–I/O8
10Ω
DQM1
I/O9–I/O16
10Ω
CS3
CS2
DQM2
I/O17–I/O24
10Ω
DQM3
I/O25–I/O32
10Ω
E
2
PROM SPD (256 WORD X 8 BIT)
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
V
DD
WP
47K
DQM CS
I/O1–I/O8 D0
DQM CS
I/O1–I/O8 D1
DQM CS
I/O1–I/O8 D8
DQM CS
I/O1–I/O8 D9
DQM4
I/O33–I/O40
10Ω
DQM5
I/O41–I/O48
10Ω
DQM CS
I/O1–I/O8 D4
DQM CS
I/O1–I/O8 D5
DQM CS
I/O1–I/O8 D12
DQM CS
I/O1–I/O8 D13
CS
DQM
I/O1–I/O8 D2
CS
DQM
I/O1–I/O8 D3
CS
DQM
I/O1–I/O8 D10
CS
DQM
I/O1–I/O8 D11
DQM6
I/O49–I/O56
10Ω
DQM7
I/O57–I/O64
10Ω
CS
DQM
I/O1–I/O8 D6
CS
DQM
I/O1–I/O8 D7
CS
DQM
I/O1–I/O8 D14
CS
DQM
I/O1–I/O8 D15
A11-A0, BA0, BA1
C0-C31
D0-D15
D0-D15
D0-D7
D0-D15
V
CC
10K
D0-D7
V
SS
RAS, CAS, WE
CKE0
CLOCK WIRING
16M X 64
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
4 SDRAM +3.3pF
4 SDRAM +3.3pF
4 SDRAM +3.3pF
4 SDRAM +3.3pF
CKE1
D9-D15
V436416S04V(C)TG-75-03
V436416S04V(C)TG-75 Rev. 1.7 September 2001
3