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    V29C51400B 参数 Datasheet PDF下载

    V29C51400B图片预览
    型号： V29C51400B
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位262,144 x 16位/ 524,288 ×8位的5伏CMOS FLASH MEMORY [4 MEGABIT 262,144 x 16 BIT/524,288 x 8 BIT 5 VOLT CMOS FLASH MEMORY]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 16 页 / 72 K
    品牌： MOSEL [ MOSEL VITELIC, CORP ]
     浏览型号V29C51400B的Datasheet PDF文件第8页浏览型号V29C51400B的Datasheet PDF文件第9页浏览型号V29C51400B的Datasheet PDF文件第10页浏览型号V29C51400B的Datasheet PDF文件第11页浏览型号V29C51400B的Datasheet PDF文件第12页浏览型号V29C51400B的Datasheet PDF文件第14页浏览型号V29C51400B的Datasheet PDF文件第15页浏览型号V29C51400B的Datasheet PDF文件第16页  
    MO SEL VITELIC  
    V29C51400T/V29C51400B  
    Byte Program AlgorithmChip/Sector Erase Algorithm  
    Write Byte-Write  
    Write Erase  
    Command Sequence  
    Command Sequence  
    Add/Data  
    Add/Data  
    5555H/AAH  
    5555H/AAH  
    2AAAH/55H  
    2AAAH/55H  
    5555H/80H  
    5555H/AAH  
    2AAAH/55H  
    Four Bus  
    Cycle  
    Sequence  
    5555H/A0H  
    PA/PD  
    Six Bus  
    Cycle  
    Sequence  
    Data Polling or Toggle bit  
    successfully completed  
    or tWTWH (2 or 3) timeout  
    5555H/10H (Chip Erase)  
    SA/30H (Sector Erase)  
    Writing  
    Completed  
    Data Polling or Toggle bit  
    successfully completed  
    or tWTWH (2 or 3) timeout  
    Erase Completed  
    51400-12  
    V29C51400T/V29C51400B Rev. 1.5 October 2000  
    13  

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