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MSM8128VLM-70 参数 Datasheet PDF下载

MSM8128VLM-70图片预览
型号: MSM8128VLM-70
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内容描述: 128K ×8 SRAM [128K x 8 SRAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器
文件页数/大小: 10 页 / 585 K
品牌: MOSAIC [ MOSAIC ]
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MSM8128-70/85/10/12  
Issue 4.5 : April 2001  
Read Cycle Timing Waveform (1,2 )  
t
RC  
Address  
t AA  
OE  
t OE  
t
OH  
t OLZ  
t CLZ1  
CS1  
t ACS1 (2)  
t
CHZ1 (3)  
CS2  
t ACS2 (2)  
t CLZ2  
tOHZ (3)  
Data Valid  
t CHZ2 (3)  
Dout  
Notes:  
(1) WE is High for Read Cycle.  
(2) Address valid prior to or coincident with CS1 transition low or CS2 high.  
(3) tCHZ and tOHZ are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not  
referenced to output voltage levels. At any given temperature and voltage condition, tCHZ max is less than  
tCLZ min both for a given device and from device to device. This parameter is sampled and not 100% tested.  
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