三菱IGBT模块
CM200RX-12A
高功率开关使用
NTC热敏电阻的一部分
符号
R
ΔR/R
B
(25/50)
P
25
参数
零功率电阻
电阻偏差
B常数
功耗
条件
T
C
= 25°C
T
C
= 100℃ ，R
100
= 493Ω
通过近似公式
T
C
= 25°C
分钟。
4.85
–7.3
—
—
范围
典型值。
5.00
—
3375
—
马克斯。
5.15
+7.8
—
10
单位
kΩ
%
K
mW
（注7）
模块
符号
R
TH（ C-F ）
参数
条件
（注2 ）
分钟。
—
范围
典型值。
0.015
马克斯。
—
单位
K / W
接触热阻
导热硅脂应用
每1个模块（注1）的
（案例鳍）
注1 ：外壳温度（T
C
） ，散热片温度（T
f
）测量点就是芯片下。 （参考芯片位置的图。）
2 ：典型值是通过使用的热传导性润滑脂测
λ
= 0.9W / （M ·K ） 。
3: I
E
, I
企业风险管理
, V
EC
, t
rr
和Q
rr
代表的评分和反并联的特点，发射极 - 集电极回流二极管（ FWDI ） 。
I
F
, I
FRM
, V
F
, V
RRM
我
RRM
代表制动部分的钳位二极管的额定值和特性。
4 ：脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）剂量不得超过TJMAX评级。
5 ：结温（T
j
）不应增加超过150℃。
6 ：脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
（参考测试电路为Ⅴ的数字
CE （ SAT ）
和V
EC
)
1
7:
B
(25/50)
=在（R
25
)/( 1
)
T
50
R
50
T
25
R
25
：在绝对温度T阻力
25
[K] ;牛逼
25
= 25 ° C] 273.15 = 298.15 [ K]
R
50
：在绝对温度T阻力
50
[K] ;牛逼
50
= 50 [℃] 273.15 = 323.15 [K]的
芯片位置（顶视图）
22.9
33.9
44.9
55.9
79.4
0
91.4
尺寸（mm） （公差：
±1mm)
92.4
100.2
101.8
106.0
标签的一面
0
34 33 32 31 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 14 13
0
17.4
(62)
(50)
35
24.4
28.0
35.0
36
Tr
UP
Di
UP
(77.1)
Tr
UN
Di
UN
1
Tr
VP
Di
VP
Tr
VN
Di
VN
2
3
Tr
WP
Di
WP
Di
TR溴
WN的Th
Di
WN
Tr
Br
4
12
11
10
9
8
7
6
5
18.3
26.8
39.7
(110)
(121.7)
(136.9)
每个标记点的每个芯片的中心位置。 TR ** ： IGBT ，迪** ： FWDI （ DIBR ：钳位二极管） ，钍： NTC热敏电阻
2009年1月
4
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
