欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

CM200RX-12A 参数 Datasheet PDF下载

CM200RX-12A图片预览
型号: CM200RX-12A
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: IGBT模块大功率开关使用 [IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率控制双极性晶体管局域网高功率电源
文件页数/大小: 8 页 / 227 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
 浏览型号CM200RX-12A的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CM200RX-12A的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CM200RX-12A的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CM200RX-12A的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CM200RX-12A的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CM200RX-12A的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CM200RX-12A的Datasheet PDF文件第8页  
三菱IGBT模块
CM200RX-12A
高功率开关使用
电气特性
逆变部分
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
t
RR (注3 )
Q
RR (注3 )
参数
( TJ = 25
°
C,除非另有规定)
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压余
C
= 20mA时, V
CE
= 10V
栅极漏电流
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
集电极 - 发射极饱和
电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
反向恢复时间
反向恢复电荷
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V
I
C
= 200A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ,我
C
= 200A ,V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ,我
C
= 200A
V
GE
=
±15V,
R
G
= 5.1Ω
感性负载
(注6 )
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
芯片
(注6 )
(I
E
= 200A)
I
E
= 200A ,V
GE
= 0V
(注6 )
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
芯片
V
EC(Note.3)
发射极 - 集电极电压
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )R
R
GINT
R
G
I
E
= 200A ,V
GE
= 0V
热阻
每个IGBT
(注1)的
(结点到外壳)
每续流二极管
内部栅极电阻
T
C
= 25 ° C,每开关
外部栅极电阻
分钟。
5
3.0
范围
典型值。
6
1.7
1.9
1.6
530
5
2.0
1.95
1.9
0
马克斯。
1
7
0.5
2.1
27
2.7
0.8
120
150
350
600
200
2.8
0.17
0.33
31
单位
mA
V
μA
V
nF
nC
ns
μC
V
K / W
Ω
制动部件
符号
I
CES
V
GE (日)
I
GES
V
CE ( SAT )
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
I
RRM(Note.3)
参数
条件
分钟。
5
6.0
范围
典型值。
6
1.7
1.9
1.6
270
2.0
1.95
1.9
0
马克斯。
1
7
0.5
2.1
13.3
1.4
0.45
1
2.8
0.31
0.59
62
单位
mA
V
μA
V
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 发射极阈值电压余
C
= 10毫安,V
CE
= 10V
栅极漏电流
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
集电极 - 发射极饱和
电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
反向重复峰值电流
I
C
= 100A ,V
GE
= 15V
I
C
= 100A ,V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ,我
C
= 100A ,V
GE
= 15V
V
R
= V
RRM
I
F
= 100A
(注6 )
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
芯片
(注6 )
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
芯片
(注6 )
nF
nC
mA
V
V
FM(Note.3)
正向电压降
R
日(J -C ) Q
R
日(J -C )R
R
GINT
R
G
I
F
= 100A
每个IGBT
热阻
(注1)的
每钳位二极管
(结点到外壳)
T
C
= 25°C
内部栅极电阻
外部栅极电阻
K / W
Ω
2009年1月
3