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CM200DU-12NFH_09 参数 Datasheet PDF下载

CM200DU-12NFH_09图片预览
型号: CM200DU-12NFH_09
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内容描述: IGBT模块大功率开关使用 [IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE]
分类和应用: 开关双极性晶体管高功率电源
文件页数/大小: 4 页 / 117 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱IGBT模块
CM200DU-12NFH
高功率开关使用
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
反向恢复电流升
rr
(A)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
3
10
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J -C )
7
5
3
2
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
7
5
3
2
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–1
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
t
rr
I
rr
10
1 1
10
2
3
5 7
10
2
条件:
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3Ω
T
j
= 25°C
感性负载
2 3
5 7
10
3
10
–2
7
5
3
每单位基础=
2
10
–2
7
5
3
2
R
日(J -C )
= 0.21K / W
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
发射极电流I
E
(A)
瞬态热
阻抗特性
( FWDI部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
0
单脉冲
T
C
= 25°C
10
–1
7
5
3
2
时间(s)
栅极电荷
特征
(典型值)
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 200A
16
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J -C )
7
5
3
2
V
CC
= 200V
V
CC
= 300V
10
–1
7
5
3
2
12
8
10
–2
7
5
3
每单位基础=
2
10
–2
7
5
3
2
4
R
日(J -C )
= 0.35K / W
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
0
0
200
400
时间(s)
800
1200
1600
600
1000
1400
1800
栅极电荷q
G
( NC )
2009年2月
4