三菱IGBT模块
CM200DU-12NFH
高功率开关使用
性能曲线
输出特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
3
400
集电极电流I
C
(A)
350
300
250
13
15
V
GE
=
20V
11
10 T
j
= 25°C
9.5
9
8.5
8
V
GE
= 15V
2.5
2
1.5
1
0.5
200
150
100
50
0
7
7.5
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
50 100 150 200 250 300 350 400
集电极电流I
C
(A)
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5 5
0
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
集电极 - 发射极饱和
电压特性
（典型值）
集电极 - 发射极
饱和电压V
CE （SAT）
(V)
续流二极管
正向特性
（典型值）
10
3
7
5
4.5
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
6
8
10
12
14
T
j
= 25°C
发射极电流I
E
(A)
5
3
2
I
C
= 400A
I
C
= 200A
I
C
= 80A
10
2
7
5
3
2
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
16
18
20
10
1
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
发射极 - 集电极电压V
EC
(V)
电容-V
CE
特征
（典型值）
10
2
电容C
IES
, C
OES
, C
水库
（ NF）
7
5
3
2
半桥
开关特性
（典型值）
10
3
C
IES
切换时间（纳秒）
7
5
3
2
t
D（关闭）
t
D（上）
t
f
t
r
条件：
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3Ω
T
j
= 125°C
感性负载
2
3
5 7
10
2
2
3
5 7
10
3
10
1
7
5
3
2
10
2
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
C
OES
C
水库
V
GE
= 0V
10
–1 –1
10
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
集电极 - 发射极电压V
CE
(V)
10
1 1
10
集电极电流I
C
(A)
2009年2月
3
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
