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CM100DU-12H_09 参数 Datasheet PDF下载

CM100DU-12H_09图片预览
型号: CM100DU-12H_09
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内容描述: IGBT模块大功率开关使用绝缘型 [IGBT MODULES HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE]
分类和应用: 开关双极性晶体管高功率电源
文件页数/大小: 4 页 / 99 K
品牌: MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
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三菱IGBT模块
CM100DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
半桥
切换时间特性
(典型值)
10
3
7
5
T
j
= 125°C
t
f
3
2
3
2
3
2
10
2
7
5
3
2
t
D(关闭)
10
2
7
5
3
2
t
rr
I
rr
10
1
7
5
3
2
t
D(上)
V
CC
= 300V
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3Ω
3
5 7
10
2
2
3
5 7
t
r
10
1
7
10
1
2
10
1
7
10
1
2
3
5 7
10
2
10
0
2
3
5 7
集电极电流I
C
(A)
瞬态热
阻抗特性
( IGBT部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
单脉冲
5
3
T
C
= 25°C
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
发射极电流I
E
(A)
瞬态热
阻抗特性
( FWDI部分)
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
10
1
7
单脉冲
5
3
T
C
= 25°C
2
7
5
3
2
7
5
3
2
7
5
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J - C )
10
0
每单元基准= R
日(J - C )
= 0.31K / W
3
2
归一化瞬时
热阻抗Z
日(J - C )
10
0
每单元基准= R
日(J - C )
= 0.7K / W
3
2
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–1
10
–1
7
5
3
2
7
5
3
2
10
–2
10
–2
10
–2
10
–2
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间(s)
10
–3
10
–3
10
–5
2 3 5 7
10
–4
2 3 5 7
10
–3
时间(s)
栅极电荷特性
(典型值)
20
栅极 - 发射极电压V
GE
(V)
I
C
= 100A
V
CC
= 200V
15
V
CC
= 300V
10
5
0
0
50
100
150
200
250
300
栅极电荷q
G
( NC )
2009年2月
4
反向恢复电流我
rr
(A)
反向恢复时间吨
rr
(纳秒)
反向恢复特性
作者:续流二极管
(典型值)
10
3
10
2
- 的di / dt = 200A / μs的
7
7
T
j
= 25°C
5
5
开关时间(纳秒)