三菱IGBT模块
CM100DU-12H
高功率开关使用
绝缘型
（ TJ = 25
°
C，除非另有规定）
最大额定值
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注2 ）
I
EM （注2）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
重量
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
条件
评级
600
±20
100
200
100
200
400
–40 ~ +150
–40 ~ +125
2500
2.5 ~ 3.5
3.5 ~ 4.5
310
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
VRMS
N·m的
N·m的
g
（注1 ）
（注1 ）
—
—
带电部分底板中，f = 60Hz的， AC 1分钟
主端子M5螺丝
M6安装螺钉
典型的价值
电气特性
符号
I
CES
项
（ TJ = 25
°
C，除非另有规定）
测试条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 10毫安，V
CE
= 10V
±V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
I
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 300V ，我
C
= 100A
V
GE
=
±15V
R
G
= 6.3Ω
阻性负载
I
E
= 100A ，V
GE
= 0V
I
E
= 100A,
模具/ DT = -200A /
µs
结到管壳， IGBT部分（每1/2模块）
结到外壳， FWDI部分（每1/2模块）
案件散热片，导电脂应用
（每1/2模块）
（注6 ）
（注4 ）
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
V
GE （日）
阈值电压
栅极漏电流
I
GES
集电极 - 发射极
V
CE （ SAT ）
饱和电压
输入电容
C
IES
输出电容
C
OES
反向传输电容
C
水库
Q
G
总栅极电荷
t
D（上）
导通延迟时间
t
r
开启上升时间
t
D（关闭）
打开-O FF延迟时间
t
f
关断下降时间
V
统（注2）
发射极 - 集电极电压
t
RR （注2 ）
反向恢复时间
Q
RR （注2 ）
反向恢复电荷
R
日（J -C ） Q
热阻（注5 ）
R
日（J -C ）R
R
TH（ C-F ）
接触热阻
民
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
6
—
2.4
2.6
—
—
—
200
—
—
—
—
—
—
0.24
—
—
0.07
最大
1
7.5
0.5
3.0
—
8.8
4.8
1.3
—
100
250
200
300
2.6
160
—
0.31
0.7
—
单位
mA
V
µA
V
nF
nF
nF
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
µC
K / W
K / W
K / W
注： 1 。
2.
3.
4.
5.
6.
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温度（T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
I
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行，发射极 - 集电极续流二极管的特性。
结温（T
j
）不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
外壳温度（T
C
）测点显示在页面外形图。
典型的值是通过使用导热润滑脂测
λ
= 0.9 [W / （米• K） ] 。
2009年2月
2
MITSUBISHI [ MITSUBISHI ELECTRIC SEMICONDUCTOR ]
