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TM10T3B-H 参数 Datasheet PDF下载

TM10T3B-H图片预览
型号: TM10T3B-H
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内容描述: 中功率一般使用绝缘型 [MEDIUM POWER GENERAL USE INSULATED TYPE]
分类和应用: 栅极触发装置可控硅整流器局域网
文件页数/大小: 4 页 / 56 K
品牌: MITSUBISHI [ Mitsubishi Group ]
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MITSUBISHI THYRISTOR MODULES  
TM10T3B-M,-H  
MEDIUM POWER GENERAL USE  
INSULATED TYPE  
MAXIMUM RATINGS  
IT (RMS)  
IF (RMS)  
IT (AV)  
IF (AV)  
ITSM  
IFSM  
2
Item  
VRRM  
VRSM  
VR (DC)  
VDRM  
VDSM  
VD (DC)  
I
t
di/dt  
Thyristor  
Diode  
Item  
PGM  
PG (AV)  
VFGM  
IFGM  
Tj  
Tstg  
Thyristor  
Diode  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
VTM  
VFM  
Item  
IRRM  
IDRM  
dv/dt  
VGT  
VGD  
IGT  
Rth (j-c)  
Rth (c-f)  
Thyristor  
Diode  
PERFORMANCE CURVES  
MAXIMUM FORWARD CHARACTERISTIC  
RATED SURGE (NON-REPETITIVE)  
CURRENT  
103  
7
5
200  
160  
120  
80  
Tj=125°C  
3
2
102  
7
5
3
2
40  
101  
0
1
2
3
5 7 10  
20 30 5070100  
0.8  
1.0  
1.2  
1.4  
1.6  
1.8  
FORWARD VOLTAGE (V)  
CONDUCTION TIME  
(CYCLE AT 60Hz)  
Feb.1999  
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