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CM200RXL-24S 参数 Datasheet PDF下载

CM200RXL-24S图片预览
型号: CM200RXL-24S
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内容描述: [Insulated Gate Bipolar Transistor]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 580 K
品牌: MITSUBISHI [ Mitsubishi Group ]
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< IGBT MODULES >  
CM200RXL-24S  
HIGH POWER SWITCHING USE  
INSULATED TYPE  
PERFORMANCE CURVES  
BRAKE PART  
HALF-BRIDGE  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
HALF-BRIDGE  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
VCC=600 V, VGE=±15 V, RG=6.2 Ω,  
VCC=600 V, IC/IF=100 A, VGE=±15 V,  
INDUCTIVE LOAD, PER PULSE  
INDUCTIVE LOAD, PER PULSE  
---------------: Tj=150 °C, - - - - -: Tj=125 °C  
---------------: Tj=150 °C, - - - - -: Tj=125 °C  
100  
10  
1
100  
10  
1
Eo n  
Er r  
Eo ff  
Eo ff  
Er r  
Eo n  
0.1  
1
10  
100  
1
10  
100  
COLLECTOR CURRENT IC (A)  
FORWARD CURRENT IF (A)  
EXTERNAL GATE RESISTANCE RG (Ω)  
DIODE  
REVERSE RECOVERY CHARACTERISTICS  
(TYPICAL)  
TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE CHARACTERISTICS  
(MAXIMUM)  
VCC=600 V, VGE=±15 V, RG=6.2 Ω, INDUCTIVE LOAD  
Single pulse, TC=25 °C  
---------------: Tj=150 °C, - - - - -: Tj=125 °C  
Rt h(j-c)Q=0.20 K/W, Rth(j-c) D=0.29 K/W  
1000  
1
0.1  
Ir r  
100  
tr r  
0.01  
0.001  
0.00001  
10  
0.0001  
0.001  
0.01  
0.1  
1
10  
1
10  
100  
FORWARD CURRENT IF (A)  
TIME (S)  
Publication Date : December 2013  
12