2.0-18.0 GHz的砷化镓MMIC
低噪声放大器
2006年5月 - 修订版01月-06
CMM1110
应用笔记[1]偏置
- 如图中接合图，此设备使用一个自偏置体系结构，只需要一个排水
偏见。偏见是名义上Vd1,2 = 8V ，我
总
= 70毫安。此外，还有在芯片上一共有6个源电阻。三个电阻上的输入级
是15,20和32欧姆。三个电阻上的输出级是15，20和32欧姆。其中的一个必须被粘结到地为每个
如图所示放大级来实现性能。粘结到的其他电阻器或任何或所有并联1可以允许附加
性能调整。
应用笔记[2]偏置安排
- 每个DC垫（ VD）需要有DC旁路电容（ 〜 100〜200 pF）的尽量靠近器件成为可能。
附加DC旁路电容（ 0.01 〜 UF）还建议。
MTTF表（ TBD）
（热电阻值（Rth） 60.0ºC / W）的
分别计算出这些数字的基础上加速寿命试验资料和热模型分析从制造代工好评。
背板
温度
55度摄氏
75度摄氏
95度摄氏
通道
温度
度摄氏
度摄氏
度摄氏
RTH
平均无故障时间
FITS
C / W
C / W
C / W
E+
E+
E+
E+
E+
E+
偏置条件：
Vd1,2 = 8.0V ，我
总
= 70毫安
设备原理图
MIMIX宽带公司， 10795罗克利路，休斯敦，得克萨斯州77099
电话： 281.988.4600传真： 281.988.4615 mimixbroadband.com
第6页第7
特征数据和规格如有变更，恕不另行通知。
©2006
MIMIX宽带公司
出口这个项目可能需要获得美国政府的适当出口许可。在购买这些配件，美国国内客户接受
他们有义务要符合美国的出口法律。
MIMIX [ MIMIX BROADBAND ]
