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STN1NK60Z 参数 Datasheet PDF下载

STN1NK60Z图片预览
型号: STN1NK60Z
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内容描述: N沟道600V 13 OHM 0.8A TO-92 / IPAK / SOT- 223齐纳保护超网MOSFET [N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET]
分类和应用: 晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小: 14 页 / 733 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
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STD1LNK60Z - 1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z
电气特性
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表4 。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
开/关状态
参数
漏源击穿
电压
零栅压漏
电流(V
GS
= 0)
试验性条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值,
V
DS
= MaxRating @ 125°C
分钟。
600
1
50
±
10
典型值。
马克斯。
单位
V
µA
µA
µA
V
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
门体漏电流
V
GS
= ±20V
(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
V
DS
= V
GS
, I
D
= 50µA
V
GS
= 10V ,我
D
= 0.4A
3
3.75
13
4..5
15
表5 。
符号
g
飞秒(1)
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
动态
参数
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输
电容
试验性条件
V
DS
= 15V ,我
D
= 0.4A
分钟。
典型值。
0.5
94
17.6
2.8
11
4.9
1
2.7
6.9
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
pF
nC
nC
nC
V
DS
= 25V , F = 1兆赫,V
GS
=0
C
OSS当量( 2)。
等效输出
电容
Q
g
Q
gs
Q
gd
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
GS
=0, V
DS
= 0V至480V
V
DD
= 480V ,我
D
= 0.8A
V
GS
=10V
1.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
2. C
OSS EQ 。
被定义为一个常数等效电容给予相同的充电时间为C
OSS
当V
DS
inceases从0到80 %的V
DSS
第七版
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