STN1NK60Z 参数 Datasheet PDF下载

型号：	STN1NK60Z
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内容描述：	N沟道600V 13 OHM 0.8A TO-92 / IPAK / SOT- 223齐纳保护超网MOSFET [N-CHANNEL 600V 13 OHM 0.8A TO-92/IPAK/SOT-223 Zener-Protected SuperMESH MOSFET]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管PC
文件页数/大小：	14 页 / 733 K
品牌：	MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]

电气额定值

STD1LNK60Z - 1 - STQ1NK60ZR - STN1NK60Z

电气额定值

表1中。

符号

DGR

DM(1)

合计

绝对最大额定值

价值

参数

IPAK

漏源电压（V

= 0)

漏，栅极电压（R

= 20KΩ)

栅源电压

漏电流（连续）在T

= 25°C

漏电流（连续）在T

=100°C

漏电流（脉冲）

总功耗在T

= 25°C

降额因子

0.8

0.5

3.2

0.24

0.25

800

4.5

-55到150

TO-92

600

± 30

0.3

0.189

1.2

3.3

0.26

0.3

SOT-223

W / ℃，

V / ns的

°C

单位

ESD（ G- D）

dv / dt的

(2)

英镑

门源ESD（ HBM -C = 100pF电容， R = 1.5KΩ ）

峰值二极管恢复电压斜率

工作结温

储存温度

1.脉冲宽度有限的安全工作区

2. I

≤0.3A,

的di / dt

≤200A/µs,

=80%V

（ BR ） DSS

表2中。

符号

THJ情况

THJ -A

THJ铅

热阻

价值

参数

IPAK

热阻结案件最大

热阻结到环境最大

热阻结铅最大

最大无铅焊接温度的

用途

100

275

TO-92

120

260

SOT-223

37.87

(1)

° C / W

°C

单位

1.当安装在1英寸2 FR-4板， 2盎司铜

表3中。

符号

雪崩数据

参数

雪崩个当前，重复或诺伊重复性

（脉冲宽度有限的TJ最大值）

单脉冲雪崩能量

（首发TJ = 25 ° C， n = IAR， VDD = 50V ）

价值

0.8

单位

2/14

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