产品DATABOOK 1996/1997
LX1681/1682
V
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FET选择
（续）
同步整流 - 下MOSFET
低通元件可以是MOSFET或肖特基
二极管。使用MOSFET（同步整流）将导致
在更高的效率，但在成本比使用肖特基二极管更高
（非同步） 。
功率消耗在底部MOSFET将是：
P
D
= I
2
* R
DS （ ON）
* [ 1 - 占空比= 3.51W
[ IRL3303或1.76W的IRL3102 ]
LX168x
5V输入
产量
GND
非同步操作 - 肖特基二极管
一个典型的肖特基二极管，具有0.6V的正向压降会消失
0.6 * 15 * [1 - 2/5 ] = 5.4W （相对于1.8〜 3.5W消散
通过在相同条件下的MOSFET ） 。
这个损耗变在较低的职责更加显著
周期。在一个单一的TO- 220的使用了双肖特基二极管的
包（如MBR2535 ）有助于改善散热。
操作从单电源供电
的LX1681 / 1682需要一个次级电压（V
C1
）以
提供足够的驱动器上MOSFET 。在许多应用
系统蒸发散与5V （V
CC
）和12V （Ⅴ
C1
）供应都存在。在
情况下，只有5V存在，V
C1
可以使用生成
一个自举（电荷泵）电路，如图4（典型
应用部分） 。
该电容器（C
4
）交替地从V充电
CC
通过
肖特基二极管（D
2
） ，然后升压若在FET导通
上。该方案provedes一个V
C1
电压等于2 * V
CC
- V
DS
(D
2
),
与V或9.5V左右
CC
= 5V 。该电压将提供
足够的栅极驱动器向外部MOSFET ，以获得低
R
DS （ ON）
。注意，使用自举电路中的同步
整流模式，很可能导致更快的导通比在非
同步模式。
布局指南 - 热设计
了大量的时间和精力都花在优化热
的演示板设计。谁打算给任何用户
实现一个嵌入式主板会得到很好的建议
仔细阅读并遵守以下准则。如果FET开关
都经过精心挑选，外部散热一般不
所需。但是，这意味着在PC板上的铜走线
现在必须使用的。这是一个潜在的故障点;尽可能多
铜面积尽可能必须专用于散热场效应管
开关和二极管，以及如果一个非同步的解决方案是
使用。
在我们的VRM模块，散热面积从内部采取
地面和V
CC
这架飞机实际上是分割和连接
通过过孔与电源设备标签。该TO- 220和TO- 263
例非常适合于这种应用，并且优选
包。请记住，所有删除任何保形涂层
暴露PC走线所涉及的散热。
图2
- 启用线性稳压器
一般注意事项
与往常一样，一定要提供本地去耦电容靠近
该芯片。请务必使用接地层施工的所有高
频率工作。使用低ESR电容，其中合理的，但要
警惕阻尼振荡问题。高频设计
需要仔细的路由和布局，并可能需要几
迭代以实现期望的性能水平。
电源走线
为了减少功率损耗，由于欧姆电阻，小心consid-
关合作应给予迹线的布局承载高
电流。要考虑的主要路径是：
s
从5V电源输入电源耗尽高端MOSFET的。
s
高端MOSFET和低端MOSFET或肖特基之间的走线
二极管。
s
较低的MOSFET或肖特基二极管和地面之间的跟踪。
s
源高端MOSFET和电感器和负载之间的走线。
所有这些迹线应该被制成宽和厚越好，
为了最大限度地减少阻力，因此功率损耗。它也是
推荐的是，只要有可能，在地面上，输入和
输出功率的信号应当在分离的平面（ PCB层） 。
参见图2 - 大胆的走线电源走线。
布局援助
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任何布局或元件选择问题。格柏文件
最流行的设备布局可应要求提供。
评估板也可根据要求提供。请
检查LINFINITY的网站进行进一步的应用笔记。
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1.0版5/99
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