产品DATABOOK 1996/1997
LX1681/1682
V
Ø LTA摹ê
- M
Ø D E
P W¯¯ M C
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P
R 0 ð ú Ç T I O 4 N
D
一个T A
S
ħ ê （E T）
一个P P L I C AT I O N I ·N· Ø R M在I 0：N
软启动电容
（续）
OUTPUT ENABLE
该LX1681 / 82 FET驱动器输出驱动至地
拉低于0.3V软启动引脚。
编程输出电压
输出电压由反馈引脚进行检测（Ⅴ
FB
），其具有
一个1.25V的参考。输出电压可以被设置为任何电压
1.25V以上（且低于输入电压），通过一个装置
电阻分压器（见产品亮点） 。
V
OUT
= V
REF
(1 + R
1
/R
2
)
注意：
请ř
1
和R
2
接近100Ω
（数量级）
.
FET选择
为了确保运行可靠，工作结温
FET的开关必须保持低于一定的限度。英特尔
规范规定， 115 ° C的最高结温
应保持在50 ℃的环境温度。实现这一点
通过适当降额的一部分，并通过充分的散热。一
为FET的选择的最关键的参数是R-
DS （ ON）
性。该参数直接有助于功率
的FET器件，从而影响散热器设计的耗散，
机械布局和可靠性。一般来说，较大的
电流处理FET的能力，较低的第r
DS （ ON）
将
是，由于更多的管芯面积是可用的。
表1 - FET选型指南
此表给出了选择国际整流器场效应管适用的。
电容器的电流加在负载电流。软启动电容
应选择使整体的电感器电流不
超过它的最大值。
电容电流跟随SS引脚电压为：
I
COUT
= C
OUT
dV
dt
=
C
OUT
C
SS
*e
- （T / RssCss ）
其中C
OUT
是输出电容。 C的典型值
SS
应在0.1至0.2μF的范围内。
在软启动周期负载电流从一个微
处理器是可以忽略不计;因此，电容器的电流是AP-
近因所需的电感电流。
过电流保护
限流发生在目前的水平我
CL
时，电压时
由电流检测比较器检测到大于
电流检测比较器的阈值，V
旅
(400mV).
I
CL
* R
DS （ ON）
+ I
SET
* R
SET
= V
旅
所以，
R
SET
=
V
旅
- I
CL
* R
DS （ ON）
I
SET
=
400mV的 - 我
CL
* R
DS （ ON）
45µA
例如：
对于10A电流限制，使用IRL3303 MOSFET （ 26mΩ ř
DS （ ON）
):
R
SET
=
0.4 - 10 * 0.026
45 * 10
-6
= 3.1k
Ω
电流检测使用检测电阻器
电流检测的使用R的方法
DS （ ON）
上部的
MOSFET是经济的，但可以有一个大的公差，因为
R
DS （ ON）
可以用温度等更精确的alterna-变化
标是使用一个外部检测电阻器（R
SENSE
） 。由于一个输入
至电流检测比较器的电源电压的集成电路
(V
CC
- 引脚8） ，检测电阻可以是PCB走线（用于
施工细节，请参阅应用笔记AN- 10或LX1668数据
表） 。
过电流跳闸点的计算如方程
以上，替代R
DS （ ON）
有R
SENSE
.
例如：
对于10A电流限制，采用了5mΩ的感测电阻：
R
SET
=
V
旅
- (I
CL
* R
SENSE
)
I
SET
0.4 - 10 * 0.005
=
= 7.8k
Ω
45 x 10
-6
设备
IRL3803
IRL22203N
IRL3103
IRL3102
IRL3303
IRL2703
R
DS （ ON）
@
Ω
10V （ MΩ）
6
7
14
13
26
40
I
D
@
T
C
= 100°C
83
71
40
56
24
17
马克斯。突破性
电压下降
30
30
30
20
30
30
采用TO- 220封装的所有设备。表面贴装器件（ TO- 263 /
D
2
-Pak ） ，加上“S”为产品编号，例如IRL3103S 。
热耗散在MOSFET上
耗散在高端MOSFET的热量将是：
P
D
= (I
2
* R
DS （ ON）
*占空比） + （ 0.5 * I * V
IN
* t
SW
* f
S
)
其中T
SW
在切换过渡线体二极管（ 〜 100ns内）
和f
S
为开关频率。
对于IRL3102 （ 13mΩ ř
DS （ ON）
） ，转换成5V至2.0V为15A
将导致1.92W的典型散热。
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