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2N5416 参数 Datasheet PDF下载

2N5416图片预览
型号: 2N5416
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内容描述: PNP小功率硅晶体管 [PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 61 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N5416的Datasheet PDF文件第1页  
2N5415 , 2N5416 JAN ,系列
电气特性(续)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
基本特征
(3)
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 50 MADC ,我
B
= 5.0 MADC
基射极电压
I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 10 VDC
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
前锋
30
15
120
2.0
1.5
VDC
VDC
动态特性
共发射小信号短路的幅度
电流传输比
I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 5.0 MHz的
正向电流传输比
I
C
= 5.0 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 1.0千赫
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 5.0伏,我
C
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
h
fe
C
敖包
C
IBO
3.0
25
15
15
75
pF
pF
开关特性
开启时间
V
CC
= 200伏,我
C
= 50 MADC ,我
B1
= 5.0 MADC
打开-O FF时间
V
CC
= 200伏,我
C
= 50 MADC ,我
B1
= I
B2
= 5.0 MADC
t
on
1.0
10
µs
µs
t
关闭
安全工作区
DC测试
T
C
= +25
0
℃; 1周期; T = 0.4秒
测试1
V
CE
= 10 VDC ,我
C
= 1.0 ADC
测试2
V
CE
= 100伏,我
C
= 100 MADC
测试3
V
CE
= 200伏,我
C
= 24 MADC
2N5415
测试4
V
CE
= 300伏,我
C
= 10 MADC
2N5416
( 3 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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