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2N5416 参数 Datasheet PDF下载

2N5416图片预览
型号: 2N5416
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内容描述: PNP小功率硅晶体管 [PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 61 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N5416的Datasheet PDF文件第2页  
技术参数
PNP小功率硅晶体管
每个合格的MIL -PRF- 485分之19500
器件
2N5415
2N5415S
2N5416
2N5416S
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功率耗散@ T
A
= +25
0
C
@ T
C
= +25
0
C
工作&存储温度范围
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
P
T
T
op
,
T
英镑
2N5415
200
200
2N5416
300
350
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
W
0
C
单位
C / W
6.0
1.0
0.75
10
-65到+200
马克斯。
17.5
TO- 5 *
2N5415, 2N5416
热特性
特征
符号
热阻,结到外壳
R
θ
JC
0
0
1 )减额线性4.28毫瓦/ C对于T
A
> + 25℃
2 )线性降额57.1毫瓦/
0
Ç对于T
C
> +25
0
C
0
2N5415S , 2N5416S
TO-39*
(TO-205AD)
*请参阅附录A
包装外形
电气特性(T
A
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
分钟。
马克斯。
单位
开关特性
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 150伏
V
CE
= 200伏
V
CE
= 250 VDC
V
CE
= 300伏
发射基截止电流
V
EB
= 6.0伏
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 200伏,V
BE
= 1.5 VDC
V
CE
= 300伏,V
BE
= 1.5 VDC
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 175伏
V
CB
= 280伏
集电极 - 基极截止电流
V
CB
= 200伏
V
CB
= 350伏
2N5415
2N5415
2N5416
2N5416
50
1.0
50
1.0
20
50
50
50
50
500
500
μAdc
MADC
μAdc
MADC
μAdc
μAdc
μAdc
μAdc
I
首席执行官
I
EBO
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
2N5415
2N5416
I
CEX
I
CBO1
I
CBO2
μAdc
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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