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2N5116 参数 Datasheet PDF下载

2N5116图片预览
型号: 2N5116
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内容描述: P沟道J- FET [P-CHANNEL J-FET]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 52 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N5116的Datasheet PDF文件第1页  
2N5114 , 2N5115 , 2N5116 JAN系列
电气特性(T
C
= 25
0
C除非另有说明) (续)
参数/测试条件
符号
分钟。
零栅极电压漏极电流
V
GS
= 0, V
DS
= -18伏直流
V
GS
= 0, V
DS
= -15伏直流
V
GS
= 0, V
DS
= -15伏直流
小信号漏 - 源“ON”状态电阻
V
GS
= 0, I
D
= -1.0 MADC
2N5114
2N5115
2N5116
2N5114
2N5115
2N5116
2N5114
2N5115
2N5116
V
GS
(关闭)
5.0
3.0
1.0
I
DSS
-30
-15
-5.0
马克斯。
-90
-60
-25
75
100
175
75
100
175
10
6.0
4.0
单位
MADC
r
DS ( ON)
V
GS
= 0, I
D
= 0; F = 1千赫
门源截止
V
DS
= -15, I
D
= 1.0 MADC
2N5114
V
DS
= -15, I
D
= 1.0 MADC
2N5115
V
DS
= -15, I
D
= 1.0 MADC
2N5116
小信号,共源短路反向传输
电容
V
GS
= 12伏直流,V
DS
= 0
2N5114
V
GS
= 7.0伏,V
DS
= 0
2N5115
V
GS
= 5.0伏,V
DS
= 0
2N5116
小信号,共源短路输入电容
V
GS
= 0, V
DS
= -15Vdc , F = 1.0 MHz的
2N5114, 2N5115
2N5116
导通延迟时间
2N5114
2N5115
2N5116
见图2
上升时间
2N5114
MIL- PRF-的
2N5115
2N5116
19500/476
打开-O FF延迟时间
2N5114
2N5115
2N5116
VDC
C
RSS
7.0
pF
C
国际空间站
25
27
6
10
25
10
20
35
6
8
20
pF
t
d
on
t
ηs
ηs
ηs
r
t
d
关闭
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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