技术参数
P沟道J- FET
每个合格的MIL -PRF-四百七十六分之一万九千五百
器件
合格
水平
2N5115
2N5116
JAN
JANTX
JANTXV
2N5114
绝对最大额定值
(T
C
=+25
0
C除非另有说明）
参数/测试条件
符号
所有器件
(1)
单位
栅源电压
V
GS
30
VDC
(1)
漏源电压
V
DS
30
VDC
漏极 - 栅极电压
V
DG
30
VDC
栅电流
I
G
50
MADC
0 (2)
功耗
T
A
= +25 C
P
T
0.500
W
0
存储温度范围
T
英镑
-65到+200
C
（ 1 ）对称的几何形状允许这些单位与源极/漏极操作将导致互换。
（ 2 ）线性降容3.0毫瓦/
0
Ç对于T
A
＆ GT ; 25
0
C.
TO-18*
(TO-206AA)
*请参阅附录A
包装外形
电气特性
(T
C
= +25
0
C除非另有说明）
参数/测试条件
符号
栅源击穿电压
V
DS
= 0, I
G
= 1.0
μAdc
漏源“ON”状态电压
V
GS
= 0伏，我
D
= -15 MADC
V
GS
= 0伏，我
D
= -7.0 MADC
V
GS
= 0伏，我
D
= -3.0 MADC
门反向电流
V
DS
= 0, V
GS
= 20伏直流
漏电流截止
V
GS
= 12伏直流，V
DS
= -15伏直流
V
GS
= 7.0伏，V
DS
= -15伏直流
V
GS
= 5.0伏，V
DS
= -15伏直流
V
（ BR ） GSS
2N5114
2N5115
2N5116
分钟。
30
马克斯。
单位
VDC
V
DS （ ON）
1.3
0.8
0.6
500
-500
-500
-500
VDC
I
GSS
2N5114
2N5115
2N5116
PADC
PADC
PADC
PADC
I
D（关闭）
6湖街，劳伦斯，MA 01841
1-800-446-1158 / （ 978 ） 794-1666 /传真： （ 978 ） 689-0803
120101
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