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    2N3866 参数 Datasheet PDF下载

    2N3866图片预览
    型号： 2N3866
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 射频与微波离散小功率三极管 [RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 射频微波
    文件页数/大小： 5 页 / 327 K
    品牌： MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
     浏览型号2N3866的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N3866的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N3866的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N3866的Datasheet PDF文件第5页  
    2N3866 / 2N3866A
    实用
    符号
    G
    PE
    功率增益
    测试条件
    分钟。
    测试电路如图1
    PIN = 0.1 W， VCE = 28V直流
    F = 400 MHz时， TC = 25℃
    测试电路如图1
    PIN = 0.1 W， VCE = 28V直流
    F = 400 MHz时， TC = 25℃
    测试电路如图1
    PIN = 0.1 W， VCE = 28V直流
    F = 400 MHz时， TC = 25℃
    10
    价值
    典型值。
    -
    马克斯。
    -
    单位
    dB
    噘
    输出功率
    1.0
    -
    -
    瓦
    收藏家EF网络效率
    η
    C
    45
    -
    -
    %
    8-60
    L
    S
    P
    OUT
    (R
    L
    = 50欧姆）
    P
    IN
    (R
    S
    = 50欧姆）
    L
    1
    8-60
    RFC
    RFC
    0.9-7
    3-35
    12
    RFC
    5.6欧姆
    1000
    V
    CE
    = -28V
    图1 - 400 MHz的RF放大器电路对于G
    PE
    , P
    OUT
    ，及能效规范。
    L
    1
    ： 2圈18号线， ¼“ ID ， 1/8 ”长
    单位为pF ，除非电容值
    另有说明。
    L
    s
    ： 2.75 TURNS 18号线， ¼“ ID ， 3/16 ”长
    调谐电容器都装有可变
    MSC1067.PDF 99年3月10日

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