2N3866 / 2N3866A
电气特性（温度上限= 25
°
C)
STATIC
（关闭）
符号
BVcer
BVCEO
BVCBO
BVEBO
ICEO
ICEX
测试条件
分钟。
集电极 - 发射极击穿电压
（ IC = 5.0 MADC ， RBE = 10欧姆）
集电极 - 发射极电压维持
（ IC = 5.0 MADC ， IB = 0 ）
集电极 - 基极击穿电压
（ IE = 0 ， IC = 0.1 MADC ）
发射极 - 基极击穿电压
（IE = 0.1 MADC ， IC = 0）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 28伏直流电， IB = 0 ）
收藏家Cuto FF电流
（ VCE = 55伏直流电， VBE = 1.5伏）
55
30
55
3.5
-
-
价值
典型值。
-
-
-
-
-
-
马克斯。
-
-
-
-
20
100
单位
VDC
VDC
VDC
VDC
µA
µA
（上）
的hFE
直流电流增益
（ IC = 360 MADC ， VCE = 5.0伏），这两个
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0伏） 2N3866
（ IC = 50 MADC ， VCE = 5.0伏） 2N3866A
集电极 - 发射极饱和电压
（ IC = 100 MADC ， IB = 20 MADC ）
5.0
10
25
-
-
-
-
200
200
-
-
-
VCE （ SAT ）
-
-
1.0
VDC
动态
符号
f
T
测试条件
分钟。
电流增益 - 带宽积
（ IC = 50 MADC ， VCE = 15 VDC ， F = 200兆赫）
输出电容
（ VCB = 30伏直流电， IE = 0 ， F = 1.0兆赫）
2N3866
2N3866A
500
800
-
价值
典型值。
800
-
2.8
马克斯。
-
-
3.5
单位
兆赫
COB
pF
MSC1067.PDF 99年3月10日
MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
