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2N3019 参数 Datasheet PDF下载

2N3019图片预览
型号: 2N3019
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内容描述: 低功率NPN硅晶体管 [LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 65 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N3019的Datasheet PDF文件第1页  
2N3019 , 2N3019S , 2N3057A , 2N3700 , 2N3700UB JAN系列
电气特性(续)
特征
符号
I
CES
I
EBO
分钟。
马克斯。
10
10
单位
μAdc
μAdc
开关特性(续)
集电极 - 发射极截止电流
V
CE
= 90伏直流
发射基截止电流
V
EB
= 5.0伏
基本特征( 1 )
正向电流传输比
I
C
= 150 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 0.1 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 10 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 500 MADC ,V
CE
= 10 VDC
I
C
= 1.0 ADC ,V
CE
= 10 VDC
集电极 - 发射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC
I
C
= 500 MADC ,我
B
= 50 MADC
基射极饱和电压
I
C
= 150 MADC ,我
B
= 15 MADC
100
50
90
50
15
300
200
200
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE ( SAT )
0.2
0.5
1.1
VDC
VDC
动态特性
小信号短路正向电流传输比
I
C
= 1.0 MADC ,V
CE
= 5.0伏, F = 1.0千赫
小信号短路幅度
正向电流传输比
I
C
= 50 MADC ,V
CE
= 10 VDC , F = 20 MHz的
输出电容
V
CB
= 10 VDC ,我
E
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
输入电容
V
EB
= 0.5伏,我
C
= 0,100千赫
f
1.0兆赫
h
fe
80
400
h
fe
C
敖包
C
IBO
5.0
20
12
60
p
ƒ
pF
安全工作区
DC测试
T
C
= 25
0
C, 1个周期,T = 10毫秒
测试1
2N3019 , 2N3019S
2N3057A , 2N3700 , 2N3700UB
测试2
2N3019 , 2N3019S
2N3057A , 2N3700 , 2N3700UB
V
CE
=
10 VDC
I
C
= 500 MADC
I
C
= 180 MADC
V
CE
=
40 VDC
I
C
= 125 MADC
I
C
= 45 MADC
测试3
V
CE
=
80伏直流
2N3019 , 2N3019S
I
C
= 60 MADC
2N3057A , 2N3700 , 2N3700UB
I
C
= 22.5 MADC
( 1 )脉冲测试:脉冲宽度= 300μS ,占空比
2.0%.
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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