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2N3019 参数 Datasheet PDF下载

2N3019图片预览
型号: 2N3019
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内容描述: 低功率NPN硅晶体管 [LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管开关
文件页数/大小: 2 页 / 65 K
品牌: MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
 浏览型号2N3019的Datasheet PDF文件第2页  
技术参数
低功率NPN硅晶体管
每个合格的MIL -PRF-三百九十一分之一万九千五
器件
2N3019
2N3019S
资质等级
JAN
JANTX
JANTXV
JANS
2N3057A
2N3700
2N3700S
最大额定值
评级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极电流
总功耗
@ T
A
= +25
0
C
(1)
2N3019 ; 2N3019S
2N3057A
2N3700
2N3700UB
0 (2)
@ T
C
= +25 C
2N3019 ; 2N3019S
2N3057A
2N3700
2N3700UB
操作&公司JCT存储温度范围
1)
符号
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C
价值
80
140
7.0
1.0
单位
VDC
VDC
VDC
ADC
W
TO- 39 * ( TO- 205AD )
2N3019 , 2N3019S
P
T
0.8
0.4
0.5
0.4
W
5.0
1.8
1.8
1.16
-55到+175
TO- 18 * ( TO- 206AA )
2N3700
T
J
,
T
英镑
0
C
TO- 46 * ( TO- 206AB )
2N3057A
2)
线性降额4.6毫瓦/
0
下型2N3019和2N3019S ; 2.3毫瓦/
0
下式2N3057A ;
2.85毫瓦/
0
下型2N3700 ; 6.6毫瓦/
0
下式2N3700UB对于T
A
+25
0
C.
线性降额28.6毫瓦/
0
下型2N3019和2N3019S ;
10.3毫瓦/
0
下类型2N3057A , 2N3700 , & 2N3700UB对于T
C
+25
0
C.
3针
表面贴装
*
2N3700UB
*请参阅附录A包
概要
电气特性(T
A
= 25
0
C除非另有说明)
特征
符号
V
( BR )
CBO
V
( BR )
EBO
V
( BR )
首席执行官
分钟。
140
7.0
80
马克斯。
单位
VDC
VDC
VDC
开关特性
集电极 - 基极击穿电压
I
C
= 100
μAdc
发射极 - 基极击穿电压
I
E
= 100
μAdc
集电极 - 发射极击穿电流
I
C
= 30 MADC
6湖街,劳伦斯,MA 01841
1-800-446-1158 / ( 978 ) 794-1666 /传真: ( 978 ) 689-0803
120101
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