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    2N5179 参数 Datasheet PDF下载

    2N5179图片预览
    型号： 2N5179
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    内容描述： 射频与微波离散小功率三极管 [RF & MICROWAVE DISCRETE LOW POWER TRANSISTORS]
    分类和应用： 晶体小信号双极晶体管射频小信号双极晶体管微波放大器
    文件页数/大小： 5 页 / 161 K
    品牌： MICROSEMI [ MICROSEMI CORPORATION ]
     浏览型号2N5179的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N5179的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N5179的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N5179的Datasheet PDF文件第5页  
    2N5179
    FUNCTIONAL
    Symbol
    NF
    GPE
    Test Conditions
    Min.
    Noise Figure (figure 1)
    Common-Emitter Amplifier
    Power Gain (figure 1)
    IC = 1.5 mAdc, VCE = 6.0
    Vdc, f = 200 MHz
    IC = 1.5 mAdc, VCE = 6.0
    Vdc, f = 200 MHz
    -
    20
    Value
    Typ.
    -
    -
    Max.
    4.5
    -
    Unit
    dB
    dB
    P
    IN
    (R
    S
    =50 OHMS)
    P
    OUT
    (R
    L
    =50 OHMS)
    Figure 1. 200 MHz Amplifier for Power Gain and Noise Figure specifications.
    MSC1305.PDF 10-25-99

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