512MB , 1GB ( 64位)
200 -PIN DDR SODIMM
表5:
引脚说明
符号
WE# ,
CAS # , RAS #
CK0 , CK0 #
CK1 , CK1 #
TYPE
输入
输入
描述
命令输入: RAS # , CAS #和WE# (以及带有S # )定义
所输入的命令。
钟: CK , CK #是差分时钟输入。所有的地址和
控制输入信号进行采样上的交叉
CK的上升沿,和CK #下降沿。输出数据
(DQS和DQS )是参照CK和CK #的交叉点。
时钟使能: CKE高激活和CKE低停用
内部时钟,输入缓冲器和输出驱动器。以CKE
LOW提供了预充电断电和自刷新
操作(所有设备闲置的银行) ,或ACTIVE POWER- DOWN
(行活跃于任何设备的银行) 。 CKE是同步的
省电模式的进入和退出,以及自刷新条目。 CKE
是异步的自刷新退出和禁用
输出。 CKE必须保持高通量和读
写访问。输入缓冲器(不包括CK,CK #和CKE )是
在断电期间禁用。输入缓冲器(不包括CKE )
在自刷新被禁用。 CKE是SSTL_2输入,但
将检测到的LVCMOS电平低VDD应用后
直到CKE先拉高。后CKE拉高,这
只变成一个SSTL_2输入。
芯片选择:• #启用(注册LOW )和禁用
(注册HIGH )命令解码器。所有的命令都
当S #注册HIGH蒙面。 S #被认为是部分
的命令代码。
银行地址: BA0和BA1确定到设备的银行
ACTIVE , READ,WRITE或预充电命令正在
应用。
地址输入:提供行地址为ACTIVE命令,
及列地址和自动预充电位( A10 ),用于
读/写命令,以选择一个位置出来的
在相应的设备组存储器阵列。 A10采样
在预充电命令决定是否
预充电适用于一台设备银行( A10低,设备库
由BA0 , BA1 )或所有设备银行( A10 HIGH )选择。该
地址输入也是一个模式中提供了操作码
寄存器设置命令。 BA0和BA1确定哪种模式
寄存器(模式寄存器或扩展模式寄存器)加载
在加载模式寄存器命令。
SSTL_2参考电压。
串行时钟用于在线检测: SCL用于同步的
存在检测的数据传输和从模块。
在线检测地址输入:这些引脚用来
配置在线检测设备。
串行存在侦测数据: SDA是用于双向引脚
传送地址和数据移入和移出presence-的
检测模块的一部分。
数据写面膜。 DM LOW允许写操作。 DM高
块写操作。 DM线不影响阅读
操作。
引脚数可能不相关的符号。请参考引脚分配表3页的详细信息
PIN号码
118, 119, 120
35, 37, 158, 160
95, 96
CKE0 , CKE1
输入
121, 122
S0#, S1#
输入
116, 117
BA0 , BA1
输入
99, 100, 101, 102, 105,106,
107, 108, 109, 110, 111, 112,
115
A0-A12
输入
1, 2
195
194, 196, 198
193
V
REF
SCL
SA0-SA2
SDA
输入
输入
输入
输入/
产量
输入
12, 26, 48, 62, 134, 148, 170,
184
DM0-DM7
09005aef80a646bc
DDF16C64_128x64HG_B.fm - 版本B 7/03 EN
4
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