过时的
4,8的MEG ×36
奇偶DRAM的SIMM
DRAM
模块
特点
• JEDEC-和行业标准的引脚排列在一个72引脚，
单列直插式内存模块（ SIMM ）
• 16MB （ 4梅格×36 ）和32MB （ 8梅格×36 ）的奇偶校验
版本
•高性能CMOS硅栅工艺
= 5V单
±10%
电源
•所有输入，输出和时钟TTL兼容
•刷新模式： RAS ＃ - 只， CAS ＃ -before - RAS ＃
（ CBR ）和隐藏
• 2048周期刷新分布在32毫秒
•快速页模式（ FPM ）存取周期
•多RAS ＃线允许X18或X36的宽度
MT12D436
MT24D836
引脚配置（前视图）
72引脚的SIMM
（DD- 5）4梅格×36 （示出）
（ DD - 6 ） 8梅格×36
（ DD - 7 ） 4梅格×36薄型
选项
•时机
60ns的访问
记号
-6
M
G
DM
DG
引脚符号
引脚符号
引脚符号
针
1
VSS
19
A10
37
DQ18
55
2
DQ1
20
DQ5
38
DQ36
56
3
DQ19
21
DQ23
39
VSS
57
4
DQ2
22
DQ6
40
CAS0#
58
5
DQ20
23
DQ24
41
CAS2#
59
6
DQ3
24
DQ7
42
CAS3#
60
7
DQ21
25
DQ25
43
CAS1#
61
8
DQ4
26
DQ8
44
RAS0#
62
9
DQ22
27
DQ26
45 NC / RAS1 ＃ * 63
10
VCC
28
A7
46
NC
64
11
NC
29
数控（A11）
47
WE＃
65
12
A0
30
VCC
48
NC
66
13
A1
31
A8
49
DQ10
67
14
A2
32
A9
50
DQ28
68
15
A3
33 NC / RAS3 ＃ * 51
DQ11
69
16
A4
34
RAS2#
52
DQ29
70
17
A5
35
DQ27
53
DQ12
71
18
A6
36
DQ9
54
DQ30
72
只有* 32MB版本
符号
DQ13
DQ31
DQ14
DQ32
VCC
DQ33
DQ15
DQ34
DQ16
DQ35
DQ17
NC
PRD1
PRD2
PRD3
PRD4
NC
VSS
•包
72 -pin SIMM
72 -pin SIMM （金）
72针的SIMM低调（ 1.00" ）
72针的SIMM （金）低调（ 1.00" ）
关键时序参数
速度
-6
t
RC
t
RAC
t
PC
t
AA
t
CAC
t
RP
110ns
60ns
35ns
30ns
15ns
40ns
产品编号
产品型号
MT12D436G-xx
MT12D436M-xx
MT12D436DG-xx
MT12D436DM-xx
MT24D836G-xx
MT24D836M-xx
XX =速度
CON组fi guration
4梅格×36
4梅格×36
4梅格×36
4梅格×36
8梅格×36
8梅格×36
电镀
金
锡/铅
金
锡/铅
金
锡/铅
高度
1.190"
1.190"
1.000"
1.000"
1.190"
1.190"
注意：
括号中的符号上，这些模块不使用，但也可使用
对于该产品系列的其他模块。他们是仅供参考。
概述
该MT12D436和MT24D836是随机访问
组织在X36 16MB和32MB的固态存储器
配置。在读或写周期，每个位
通过22个地址位，这是唯一寻址
输入的11位（ A0 -A10 ）的时间。 RAS＃被用于锁存
前11位， CAS＃后者11位。读或写
4 ， 8梅格×36奇偶DRAM的SIMM
DM45.pm5 - 修订版3/97
周期选择与WE＃的输入。在WE ＃为逻辑高电平
决定读模式，而逻辑低电平WE＃使然
写模式。在一个写周期，数据（D）中被锁存
通过CAS＃的下降沿。因为我们＃变低之前
CAS ＃变低，输出引脚（S ）保持开放（高阻）
直到下一个CAS＃周期。
1
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„1997,
美光科技公司
MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
