过时的
4,8的MEG ×36
奇偶DRAM的SIMM
笔记
1.所有电压参考V
SS
.
2.该参数进行采样。电容测量
采用MIL - STD- 883C ，方法3012.1 （ 1 MHz的交流，
V
CC
= 4.5V ，直流偏压= 2.4V时15mV的有效值） 。
3. I
CC
依赖于输出负载和循环率。
指定的值与最小周期得到
时间和输出打开。
4.启用芯片刷新和地址计数器。
5.最小规格仅用于指示
循环时间在该正确的操作，在整个
的温度范围内得到保证。
6.为100μs的初始暂停后电是必需的，
其次是8 RAS ＃刷新周期（ RAS ＃ - 只
或CBR与WE ＃高） ，前正确的设备
操作被保证。八RAS ＃循环唤醒，
应重复任何时间
t
REF刷新
要求超出。
7. AC特性假设
t
T为5ns的。
8. V
IH
（MIN）和V
IL
（MAX），是参考电平为
测量输入信号的定时。转换时间
V的测量
IH
和V
IL
（或V之间
IL
和V
IH
).
9.除了满足升学率规范
化，所有的输入信号必须V之间的过境
IH
和
V
IL
（或V之间
IL
和V
IH
）中的单调方式。
10.如果CAS ＃ = V
IH
，数据输出为高阻。
11.如果CAS ＃ = V
IL
，数据输出可以包含来自数据
最后一个有效的读周期。
12.衡量一个负载相当于两个TTL门
和100pF电容，V
OL
= 0.8V和V
OH
= 2V.
13.如果CAS＃为低电平时的RAS＃的下降沿，则Q将为
来自前一个周期保持。要启动一个新的
周期和清除数据出缓冲器， CAS＃必须
脉冲高的
t
CP 。
14。
t
不再指定的RCD （ MAX）的限制。
t
RCD
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RCD大于指定的
t
RCD （MAX）中
限制，那么访问时间是由专门的控制
t
CAC （
t
RAC [ MIN ]不再适用） 。或
没有
t
RCD （ MAX ）的限制，
t
AA和
t
CAC绝
始终得到满足。
15。
t
不再指定的RAD （ MAX）的限制。
t
拉德
（MAX），被指定为唯一的一个参考点。如果
t
RAD大于指定的
t
RAD （MAX）中
限制，那么访问时间是由专门的控制
t
AA (
t
RAC和
t
CAC不再适用） 。或
没有
t
RAD （ MAX ）的限制，
t
AA,
t
RAC和
t
CAC
必须始终得到满足。
16.无论是
t
RCH或
t
RRH必须满足一个读
周期。
17.
t
关（ MAX ）定义的时间，这时，输出
实现了开路状态和不
参考V
OH
或V
OL
.
18.这些参数是参照CAS ＃领先
边缘初期写入周期。
19. OE ＃是永久接为低电平;后写入或
读 - 修改 - 写操作不permis-
sible并且不应该尝试。
20.隐藏刷新，也可以之后进行
写周期。在这种情况下， WE＃ = LOW和
OE ＃ = HIGH 。
21.为3ns最小值参数保证的
设计。
22.列地址每一个周期更换一次。
23. 16MB模块的值将是一半所示。
4 ， 8梅格×36奇偶DRAM的SIMM
DM45.pm5 - 修订版3/97
8
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„1997,
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MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
