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MT24D836G-XX 参数 Datasheet PDF下载

MT24D836G-XX图片预览
型号: MT24D836G-XX
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内容描述: DRAM模块 [DRAM MODULE]
分类和应用: 动态存储器
文件页数/大小: 17 页 / 311 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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OBSOLETE
4, 8 MEG x 36
PARITY DRAM SIMMs
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
MT24D836 (32MB)
DQ1
DQ9
DQ10
DQ18
DQ1 - 4
WE#
U1
CAS0#
RAS0#
CAS#
RAS#
OE# A0-A10
DQ1 - 4
WE#
U2
CAS#
RAS#
OE# A0-A10
D
WE#
Q
DQ1 - 4
WE#
DQ1 - 4
WE#
D
WE#
Q
U17
CAS#
RAS#
A0-A10
CAS#
RAS#
U5
CAS#
RAS#
U6
CAS#
RAS#
U18
OE# A0-A10
OE# A0-A10
A0-A10
CAS1#
11
11
11
11
11
11
DQ19
DQ27
DQ28
DQ36
DQ1 - 4
WE#
CAS2#
RAS2#
WE#
U3
CAS#
RAS#
OE# A0-A10
DQ1 - 4
WE#
U4
CAS#
RAS#
OE# A0-A10
D
WE#
Q
DQ1 - 4
WE#
DQ1 - 4
WE#
D
WE#
Q
U19
CAS#
RAS#
A0-A10
CAS#
RAS#
U7
CAS#
RAS#
U8
CAS#
RAS#
U20
OE# A0-A10
OE# A0-A10
A0-A10
CAS3#
A0-A10
11
11
11
11
11
11
DQ1
DQ9
DQ10
DQ18
DQ1 - 4
WE#
U15
CAS#
RAS1#
RAS#
OE# A0-A10
DQ1 - 4
WE#
U16
CAS#
RAS#
OE# A0-A10
D
WE#
Q
DQ1 - 4
WE#
DQ1 - 4
WE#
D
WE#
Q
U21
CAS#
RAS#
A0-A10
CAS#
RAS#
U11
CAS#
RAS#
U12
CAS#
RAS#
U22
OE# A0-A10
OE# A0-A10
A0-A10
11
11
11
11
11
11
DQ19
DQ27
DQ28
DQ36
DQ1 - 4
WE#
U13
CAS#
RAS3#
RAS#
OE# A0-A10
DQ1 - 4
WE#
U14
CAS#
RAS#
OE# A0-A10
D
WE#
Q
DQ1 - 4
WE#
DQ1 - 4
WE#
D
WE#
Q
U23
CAS#
RAS#
A0-A10
CAS#
RAS#
U9
CAS#
RAS#
U10
CAS#
RAS#
U24
OE# A0-A10
OE# A0-A10
A0-A10
11
11
11
11
11
11
V
CC
V
SS
U1-U24
U1-U24
U1-U16 = 4 Meg x 4 DRAMs
U17-U24 = 4 Meg x 1 DRAMs
4, 8 Meg x 36 Parity DRAM SIMMs
DM45.pm5 – Rev. 3/97
3
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
„1997,
Micron Technology, Inc.