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M29W256GH70N3E 参数 Datasheet PDF下载

M29W256GH70N3E图片预览
型号: M29W256GH70N3E
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内容描述: [Parallel NOR Flash Embedded Memory]
分类和应用: 光电二极管内存集成电路
文件页数/大小: 76 页 / 992 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256Mb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
DC Characteristics  
Table 27: DC Voltage Characteristics  
Parameter  
Input LOW voltage  
Symbol  
VIL  
Conditions  
VCC 2.7V  
VCC 2.7V  
IOL = 100µA,  
Min  
–0.5  
Typ  
Max  
Unit  
V
Notes  
0.3VCCQ  
Input HIGH voltage  
Output LOW voltage  
VIH  
0.7VCCQ  
VCCQ + 0.4  
0.15VCCQ  
V
VOL  
V
VCC = VCC,min  
,
VCCQ = VCCQ,min  
Output HIGH voltage  
Identification voltage  
VOH  
IOH = 100µA,  
0.85VCCQ  
V
VCC = VCC,min  
,
VCCQ = VCCQ,min  
VID  
11.5  
11.5  
12.5  
12.5  
V
V
Voltage for VPP/WP# program  
acceleration  
VPPH  
Program/erase lockout supply  
voltage  
VLKO  
1.8  
2.5  
V
1
1. Sampled only; not 100% tested.  
Note:  
PDF: 09005aef84bd3b68  
m29w_256mb.pdf - Rev. C 7/13 EN  
Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
59  
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