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    JS28F512P30TF 参数 Datasheet PDF下载

    JS28F512P30TF图片预览
    型号： JS28F512P30TF
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路光电二极管
    文件页数/大小： 92 页 / 1225 K
    品牌： MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
     浏览型号JS28F512P30TF的Datasheet PDF文件第22页浏览型号JS28F512P30TF的Datasheet PDF文件第23页浏览型号JS28F512P30TF的Datasheet PDF文件第24页浏览型号JS28F512P30TF的Datasheet PDF文件第25页浏览型号JS28F512P30TF的Datasheet PDF文件第27页浏览型号JS28F512P30TF的Datasheet PDF文件第28页浏览型号JS28F512P30TF的Datasheet PDF文件第29页浏览型号JS28F512P30TF的Datasheet PDF文件第30页  
    512Mb, 1Gb, 2Gb: P30-65nm  
    Device ID Codes  
    Device ID Codes  
    Table 9: Device ID codes  
    Device Identifier Codes  
    Device  
    ID Code Type  
    Density  
    512Mb  
    1Gb  
    –T (Top Parameter)  
    –B (Bottom Parameter)  
    –E/F (Symmetrical Blocks)  
    Device Code  
    8960  
    8962  
    8961  
    8963  
    8999  
    899A  
    1. The 2Gb devices do not have a unique device ID associated with them. Each die within  
    the stack can be identified by device ID codes.  
    Note:  
    PDF: 09005aef845667b3  
    p30_65nm_MLC_512Mb-1gb_2gb.pdf - Rev. B 12/13 EN  
    Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
    26  
    © 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  

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