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JS28F512M29EWLB 参数 Datasheet PDF下载

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型号: JS28F512M29EWLB
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内容描述: 并行NOR闪存的嵌入式存储器 [Parallel NOR Flash Embedded Memory]
分类和应用: 闪存存储
文件页数/大小: 75 页 / 855 K
品牌: MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
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256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb: 3V Embedded Parallel NOR Flash  
DC Characteristics  
Table 28: DC Voltage Characteristics  
Parameter  
Input LOW voltage  
Symbol  
VIL  
Conditions  
VCC 2.7V  
VCC 2.7V  
IOL = 100µA,  
Min  
–0.5  
Typ  
Max  
0.8  
Unit  
V
Notes  
Input HIGH voltage  
Output LOW voltage  
VIH  
0.7VCCQ  
VCCQ + 0.4  
0.15VCCQ  
V
VOL  
V
VCC = VCC,min  
,
VCCQ = VCCQ,min  
Output HIGH voltage  
VOH  
IOH = 100µA,  
0.85VCCQ  
V
VCC = VCC,min  
VCCQ = VCCQ,min  
,
Voltage for VPP/WP# program  
acceleration  
VPPH  
VLKO  
11.5  
2.3  
12.5  
V
V
Program/erase lockout supply  
voltage  
1
1. Sampled only; not 100% tested.  
Note:  
PDF: 09005aef849b4b09  
m29ew_256mb_2gb.pdf - Rev. B 8/12 EN  
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