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    JS28F256P30B 参数 Datasheet PDF下载

    JS28F256P30B图片预览
    型号： JS28F256P30B
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    内容描述： 美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
    分类和应用： 闪存存储
    文件页数/大小： 98 页 / 1366 K
    品牌： MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]
     浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第29页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第30页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第31页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第32页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第34页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第35页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第36页浏览型号JS28F256P30B的Datasheet PDF文件第37页  
    256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm  
    Device ID Codes  
    Device ID Codes  
    Table 13: Device ID codes  
    Device Identifier Codes  
    Device  
    ID Code Type  
    Density  
    –T (Top Parameter)  
    –B (Bottom Parameter)  
    Device Code  
    256Mb  
    8919  
    891C  
    1. The 512Mb devices do not have a unique device ID associated with them. Each die with-  
    in the stack can be identified by device ID codes.  
    Note:  
    PDF: 09005aef84566799  
    p30_65nm_MLC_256Mb-512mb.pdf - Rev. C 12/13 EN  
    Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.  
    33  
    © 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.  

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