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JS28F256P30B 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	JS28F256P30B
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内容描述：	美光并行NOR闪存的嵌入式存储器（ P30-65nm ） [Micron Parallel NOR Flash Embedded Memory (P30-65nm)]
分类和应用：	闪存存储
文件页数/大小：	98 页 / 1366 K
品牌：	MICRON [ MICRON TECHNOLOGY ]

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256Mb and 512Mb (256Mb/256Mb), P30-65nm

Device ID Codes

Device ID Codes

Table 13: Device ID codes

Device Identifier Codes

Device

ID Code Type

Density

–T (Top Parameter)

–B (Bottom Parameter)

Device Code

256Mb

8919

891C

1. The 512Mb devices do not have a unique device ID associated with them. Each die with-

in the stack can be identified by device ID codes.

Note:

PDF: 09005aef84566799

p30_65nm_MLC_256Mb-512mb.pdf - Rev. C 12/13 EN

Micron Technology, Inc. reserves the right to change products or specifications without notice.

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© 2013 Micron Technology, Inc. All rights reserved.

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