TC4423/TC4424/TC4425
1.0
电动
特征
绝对最大额定值†
电源电压................................................ ................ + 22V
输入电压，单位为A或B中的
................................................ (V
DD
+ 0.3V ）至（ GND - 5V ）
封装功耗（T
A
≤
70°C)
DFN ................................................. ........................
PDIP ................................................. ...................... 730毫瓦
SOIC ................................................. ...................... 470毫瓦
†
注意：
注意，超出上述"Maximum下上市
Ratings"可能对器件造成永久性损坏。这是
一个额定值，器件的功能操作
这些或任何上述其他条件的说明
本说明书中的操作部分并不意。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
电气连接特定的阳离子：
除非另有说明，T
A
= + 25 ℃， 4.5V
≤
V
DD
≤
18V.
参数
输入
逻辑“1” ，高输入电压
逻辑“0” ，低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻，高
输出电阻，低
峰值输出电流
闭锁保护承受
的反向电流
开关时间（注1 ）
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
注1 ：
2:
I
S
—
—
1.5
0.15
2.5
0.25
mA
V
IN
= 3V （两个输入）
V
IN
= 0V （两个输入）
t
R
t
F
t
D1
t
D2
—
—
—
—
23
25
33
38
35
35
75
75
ns
ns
ns
ns
C
L
= 1800 pF的
C
L
= 1800 pF的
C
L
= 1800 pF的
C
L
= 1800 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
转
V
DD
– 0.025
—
—
—
—
—
—
—
2.8
3.5
3
>1.5
—
0.025
5
5
—
—
V
V
Ω
Ω
A
A
占空比
≤
2%, t
≤
300微秒。
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时， V
DD
= 18V
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
—
–1
—
—
—
—
0.8
1
V
V
µA
0V
≤
V
IN
≤
V
DD
符号
民
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
2004年Microchip的科技公司
DS21421D第3页
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