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TC4422CPA 参数 Datasheet PDF下载

TC4422CPA图片预览
型号: TC4422CPA
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内容描述: 9A高速MOSFET驱动器 [9A High-Speed MOSFET Drivers]
分类和应用: 驱动器
文件页数/大小: 18 页 / 335 K
品牌: MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
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TC4421/TC4422
1.0
电动
特征
†注意,超出上述绝对最大的“上市
“,可能对器件造成永久性损坏。这些
仅仅是极限参数和设备的功能操作
在这些或任何上述的那些其他条件中指示的
规范的操作部分将得不到保证。
暴露在绝对最大额定值条件下,
长时间可能会影响器件的可靠性。
绝对最大额定值?
电源电压................................................ ..... + 20V
输入电压.................... (V
DD
+ 0.3V )至( GND - 5V )
输入电流(V
IN
& GT ; V
DD
) ................................... 50毫安
封装功耗(T
A
70°C)
5引脚TO- 220 ............................................ ........ 1.6W
DFN ................................................. .............
PDIP ................................................. ........... 730毫瓦
SOIC ................................................. ........... 750毫瓦
封装功耗(T
A
25°C)
5引脚TO- 220 (带散热器) ........................ 12.5W
热阻抗(大小写)
5引脚TO- 220 ř
θJ -C
...................................... 10 ° C / W
DC特性
电气连接特定的阳离子:
除非另有说明,T
A
= + 25 ℃, 4.5V
V
DD
18V.
参数
输入
逻辑“1” ,高输入电压
逻辑“0” ,低输入电压
输入电流
产量
高输出电压
低输出电压
输出电阻,高
输出电阻,低
峰值输出电流
连续输出电流
闭锁保护
承受反向电流
开关时间(注1 )
上升时间
下降时间
延迟时间
延迟时间
电源
电源电流
工作输入电压
注1 :
2:
3:
I
S
V
DD
4.5
0.2
55
1.5
150
18
mA
µA
V
V
IN
= 3V
V
IN
= 0V
t
R
t
F
t
D1
t
D2
60
60
30
33
75
75
60
60
ns
ns
ns
ns
C
L
= 10,000 pF的
C
L
= 10,000 pF的
V
OH
V
OL
R
OH
R
OL
I
PK
I
DC
I
V
DD
– 0.025
2
1.4
0.9
9.0
>1.5
0.025
1.7
V
V
A
A
A
直流测试
直流测试
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
I
OUT
= 10 mA时, V
DD
= 18V
V
DD
= 18V
10V
V
DD
18V ,T
A
= +25°C
( TC4421 / TC4422 CAT只)
占空比
2%, t
300微秒
V
IH
V
IL
I
IN
2.4
–10
1.8
1.3
0.8
+10
V
V
µA
0V
V
IN
V
DD
符号
典型值
最大
单位
条件
开关时间由设计保证。
包装功耗依赖于PCB上的铜层的面积。
特性测试,未经生产测试。
2004年Microchip的科技公司
DS21420D第3页