PIC18F2331/2431/4331/4431
5.2
主复位（MCLR ）
图5-2：
在MCLR引脚可以触发的外部复位
设备通过该引脚拉低。这些设备有一个
在检测到MCLR复位路径上的噪声滤波器和
滤除小脉冲。
MCLR引脚没有驱动为低电平任何内部复位，
包括看门狗定时器。
在PIC18F2331 / 2431 / 4431分之4331器件， MCLR
输入可以用MCLRE配置被禁用
位。当禁止MCLR时，该引脚变为数字
输入。欲了解更多信息，请参阅
外部上电
复位电路（
慢V
DD
POWER- UP ）
V
DD
V
DD
D
R
R1
C
MCLR
PIC18FXXXX
5.3
上电复位（ POR ）
上电复位脉冲片上生成下列情况─
以往V
DD
上升到高于某个阈值。这使得
设备启动的初始化状态时， V
DD
is
足够进行操作。
要利用POR电路的优势，将MCLR
引脚通过一个电阻（ 1 kΩ到10 kΩ）连接到V
DD
。这将
外部RC元件通常所需的
创建一个上电复位延时。最小上升速率
对于V
DD
是指定（参数
对于缓慢上升
时间，请参阅
当器件开始正常工作（即退出
复位状态）时，器件的工作参数（如
电压，频率和温度）必须满足
保证正常工作。如果这些条件得不到满足，
设备必须保持在复位状态，直到工作
条件得到满足。
上电复位事件由POR位捕获
（ RCON<1> ） 。该位的状态设置为“0”时
发生POR和任何其他复位不改变
事件。 POR不受任何硬件复位为“1” 。
要捕捉多个事件，用户手动复位
该位为' 1'之后用软件上电复位。
注意：
下面的解耦方法
推荐：
1. A 1
F
电容应连接
横跨AV
DD
和AV
SS
.
2.类似的电容应
跨V连接
DD
和V
SS
.
注1 ：
外部上电复位电路
仅当在V所需
DD
电速率是
太慢。二极管D ，有助于排出
电容很快当V
DD
权力
下来。
2:
ř < 40 kΩ的建议，使
确保R两端的电压降不
符合器件的电气
特定连接的阳离子。
3:
R1
1 kΩ将限制任何电流
成的MCLR从外部电容C ，在
MCLR / V的情况下
PP
脚击穿，
由于静电放电（ ESD ）或
电气过应力（ EOS ） 。
5.4
欠压复位（ BOR ）
配置位BOREN可禁止（清除/
编程）或使能（如果设置）的欠压复位
电路。如果V
DD
低于V
BOR
（参数D005A
通过D005F ）为更大于T
BOR
（参数35） ，
在掉电情况下将芯片复位。复位可能
不会发生，如果V
DD
低于V
BOR
为小于T
BOR
.
该芯片将保持欠压复位状态，直至V
DD
上升
上述V
BOR
。如果上电延时定时器使能，这将是
V后调用
DD
上升超过V
BOR
;那么它会继续
在复位芯片额外延时T
PWRT
（参
如果V
DD
低于V
BOR
而
上电延时定时器运行时，芯片将重新回到
欠压复位和上电延时定时器会
初始化。一旦V
DD
上升超过V
BOR
，上电
定时器将执行额外的时间延迟。启用
欠压复位并不会自动启用
PWRT 。
2010 Microchip的技术公司
DS39616D第49页
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