PIC18F2331/2431/4331/4431
23.5.2
数据EEPROM
代码保护功能
整个数据EEPROM的外部保护
读取和两位写道： CPD和WRTD 。 CPD
抑制外部读取和数据写入EEPROM 。
WRTD抑制外部写数据EEPROM 。该
CPU可以继续读写数据EEPROM
无论保护位的设置。
使用微的在线调试功能
控制器的设计必须实现在线串行
编程连接MCLR / V
PP
, V
DD
, V
SS
,
RB7和RB6 。这将接口的电路内
调试器模块可从Microchip的或一
第三方开发工具的公司。
23.9
单电源ICSP ™
程序设计
23.5.3
配置寄存器
保护
配置寄存器可以被写保护。
该WRTC位控制保护配置
寄存器。在正常运行模式下， WRTC位
只可读。 WRTC只能通过ICSP书面或
外部编程。
配置寄存器4L LVP位
(CONFIG4L<2>)
使
单电源
ICSP
编程。当LVP被激活，微控制器
可以在不需要高电压的存在被编程
适用于MCLR / V
PP
销，但RB5 / PGM引脚是
然后，专用于控制程序模式入口，是
不能作为通用I / O引脚。
LVP在擦除设备上启用。
而编程，使用单电源编程
明，V
DD
被施加到MCLR / v
PP
引脚作为正常
执行模式。要进入编程模式，V
DD
is
施加在PGM引脚。
注1 ：
高电压编程始终是
可用的，而不管状态
LVP位或PGM引脚，通过采用V
IHH
在MCLR引脚。
2:
当单电源编程
启用后， RB5引脚可以不再
作为通用I / O引脚。
3:
当LVP启用外部，拉
PGM引脚到V
SS
允许正常的程序
执行。
如果单电源ICSP编程模式将不
使用时， LVP位清零和RB5 / PGM
可用作为数字I / O引脚RB5 。该LVP
位可设置或者使用标准的时候才会被清除
高电压编程（V
IHH
适用于MCLR /
V
PP
针） 。一旦LVP已禁用，只
标准的高电压编程提供
必须使用对器件编程。
未代码保护的可利用被擦除的存储器
任一个块的擦除或擦除一行接一行，然后将其写入
在任何指定的V
DD
。如果代码保护的内存是要
擦除的块的擦除是必需的。如果一个块的擦除是
采用单电源编程时进行，
该设备必须在V供给
DD
的4.5V至5.5V 。
23.6
标识位置
八个存储单元（ 200000h - 200007h ）是
指定为ID地址，用户可以在其中存储
校验和或其他代码标识号。这些
位置是可读写的过程中正常的
通过执行
TBLRD
和
TBLWT
说明，
或在编程/校验。标识位置可以读
当器件被代码保护。
23.7
在线串行编程
PIC18F2331 / 2431 / 4431分之4331微控制器可
串行编程在最终应用电路。
这可以简单地通过一根时钟线和数据完成的，
其他三线电源，接地和
编程电压。这允许用户在制造
骨折电路板时使用未编程器件，然后
刚刚出货前对单片机编程
产品。这也使得最新版本的固件或
自定义网络连接固件进行编程。
23.8
在线调试器
当在CONFIG4L配置了DEBUG位
寄存器编程为“0”时，在线调试器
功能被使能。此功能允许简单
调试功能与MPLAB使用时
®
IDE。
当单片机启用了此功能，
有些资源不能用于一般用途。
显示需要哪些资源由
后台调试器。
表23-4 ：
I / O引脚：
STACK ：
调试器资源
RB6 ， RB7
2级
<1字节
16个字节
程序存储器：
数据存储器：
DS39616D页282
2010 Microchip的技术公司
MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]
