PIC18F4431-I/PT 参数 Datasheet PDF下载

型号：	PIC18F4431-I/PT
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内容描述：	28 /40/ 44引脚增强型闪存微控制器采用纳瓦技术，高性能PWM和A / D [28/40/44-Pin Enhanced Flash Microcontrollers with nanoWatt Technology, High-Performance PWM and A/D]
分类和应用：	闪存微控制器
文件页数/大小：	392 页 / 3127 K
品牌：	MICROCHIP [ MICROCHIP TECHNOLOGY ]

PIC18F2331/2431/4331/4431

2.2

2.2.1

电源引脚

去耦电容

2.2.2

槽路电容

去耦电容在每对使用

电源管脚，如V

, V

， AV

和

，是必须的。

使用去耦时，需要考虑以下标准

电容器：

•

电容的值和类型：

A 0.1

F

（ 100 NF），

10-20V电容建议。电容器

应该是一个低ESR装置，具有共振

频率在200兆赫或更高的范围内。

建议使用陶瓷电容。

•

放置在印刷电路板：

该

去耦电容应尽量靠近

到销地。建议

上放置的同一侧的电容器

板作为器件。如果空间有限，在

电容器可以被放置在所述另一层

采用PCB过孔;但是，需要确保跟踪

从引脚到电容长度不

大于0.25英寸（6毫米）。

•

处理高频噪声：

如果板

经历高频噪声（向上的

数十MHz ），添加一个陶瓷电容

器在平行于上述解耦

电容。所述第二电容器的值可以

在0.01的范围内

F

0.001

F.

把这个

第二电容靠近每个主去耦

电容。在高速电路设计中，考虑

让10对电容为

靠近电源和地引脚越好

（例如， 0.1

F

与0.001并行

F).

•

最大限度地提高性能：

在电路板布局

从电源电路中，需要将电源和

先返回痕迹的去耦电容，

然后到器件引脚。这确保了

去耦电容是第一次在电力产业链。

同样重要的是要保持的走线长度

电容和电源引脚之间

最低限度，从而降低PCB走线

电感。

板卡与电源走线运行时间超过

六英寸长度，建议使用一个罐capac-

itor集成电路，包括微控制器，以

提供本地电源。罐的值

电容器应根据跟踪判断

电阻的电力供给源连接

该设备，并通过引出的最大电流

装置中的应用。换句话说，选择坦克

电容器使其符合可接受的电压骤降

该设备。典型值的范围从4.7

F

F.

2.2.3

注意事项使用

BOR

当欠压复位（ BOR ）功能启用时，

在V的突然变化

可能会导致自发

BOR事件。这可能发生在当微控制器

在正常操作条件下操作时，考虑以下各项

少了什么BOR设置点进行了编程

到，即使V

不接近设定点。

在这些BOR事件的促发因素是上升或

爱上V

与压摆率超过0.15V / s更快。

即采用适当的去耦应用程序

电源之间的电源将不会遇到这样的

快速的电压变化。另外，使用的

跨V的电解电容箱

和V

作为

如上所述，将有助于防止高转换

率转换。

如果应用程序有一个打开或关闭的组件，

并且共享相同的V

电路的微控制器，

欠压复位可以通过使用被禁止的软件

SBOREN开关组件之前位。离职后

病房内，才允许重新启用BOR一个小的延迟。

通过这样做，可以确保BOR被禁止

这可能会导致高转换率的时间间隔内

V的变化

注意：

不是所有器件均包含软件BOR

控制权。看

第5.0节“复位”

为

设备特定的信息。

DS39616D第26页

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